2-methylbut-2-yl chloroacetate | 5439-30-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: 2-methylbut-2-yl chloroacetate
• 英文别名: chloro-acetic acid tert-pentyl ester；Chlor-essigsaeure-tert-pentylester；Acetic acid, chloro, 1,1-dimethylpropyl ester；2-methylbutan-2-yl 2-chloroacetate
• CAS: 5439-30-5
• 化学式: C₇H₁₃ClO₂
• mdl: MFCD19233346
• 分子量: 164.632
• InChiKey: KPFTZXFNGNJOQM-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  70 °C(Press: 20 Torr)
• 密度：
  1.035±0.06 g/cm3(Predicted)
• 保留指数：
  995

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.857
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-methylbut-2-yl chloroacetate 、 三苯基膦 在 sodium hydroxide 作用下， 以 苯 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 2-methylbut-2-yl (triphenylphosphoranylidene)acetate
  参考文献：
  名称：

  三羧酸乙烯酯衍生物的新型内酯化：烯烃的分子间捕获。

  摘要：

  在路易斯酸的存在下，新的1，1-二乙基2-叔丁基乙烯三羧酸酯（1a）的环化反应得到5,5-二甲基-γ-内酯衍生物2a。已经表明，该反应过程是由于捕获原位生成的异丁烯而形成的。还开发了路易斯酸促进的1,3-二乙基1，2-二乙基乙三羧酸酯（5）和各种烯烃的分子间反应，以提供高度官能化的γ-内酯。[反应：看文字]

  DOI：

  10.1021/ol047693z
• 作为产物：
  描述：

  2-甲基-2-丁醇 、 氯乙酰氯 在 吡啶 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 以100%的产率得到2-methylbut-2-yl chloroacetate
  参考文献：
  名称：

  三羧酸乙烯酯衍生物的新型内酯化：烯烃的分子间捕获。

  摘要：

  在路易斯酸的存在下，新的1，1-二乙基2-叔丁基乙烯三羧酸酯（1a）的环化反应得到5,5-二甲基-γ-内酯衍生物2a。已经表明，该反应过程是由于捕获原位生成的异丁烯而形成的。还开发了路易斯酸促进的1,3-二乙基1，2-二乙基乙三羧酸酯（5）和各种烯烃的分子间反应，以提供高度官能化的γ-内酯。[反应：看文字]

  DOI：

  10.1021/ol047693z

文献信息

• Resist composition and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20030118934A1

  公开（公告）日：2003-06-26

  Resist compositions comprising as the base resin a polymer using tert-amyloxystyrene as a reactive group which is decomposable under the action of an acid to increase solubility in alkali have advantages including a significantly enhanced contrast of alkali dissolution rate before and after exposure, a high sensitivity, and a high resolution in the baking temperature range of 100-110° C. which is unachievable with tert-butoxystyrene. The compositions are best suited as a chemically amplified resist material for micropatterning in the manufacture of VLSI.

  抗蚀组合物包括以 tert-amyloxystyrene 作为反应基团的聚合物作为基础树脂，该基团在酸的作用下分解以增加在碱性溶液中的溶解度。这种组合物具有显着增强的碱溶解速率对比度，高灵敏度和高分辨率，适用于100-110°C的烘焙温度范围，而 tert-butoxystyrene 则无法实现。这些组合物最适合作为化学增强抗蚀材料用于微图案制造的VLSI。
• Resist compositions, their preparation and use for patterning processes
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：EP0908783A1

  公开（公告）日：1999-04-14

  A resist composition comprising (A) an organic solvent; (B) at least two polymers with weight average molecular weights of 1,000-500,000, which have at least one type of acid labile group and are crosslinked within a molecule and/or between molecules with crosslinking groups having C-O-C linkages; and (C) a photoacid generator is sensitive to high-energy radiation, has excellent sensitivity, resolution, and plasma etching resistance, and provides resist patterns of outstanding thermal stability and reproducibility. Patterns obtained with this resist composition are less prone to overhanging and have excellent dimensional controllability. The resist composition is suitable as a micropatterning material for VLSI fabrication because it has a low absorption at the exposure wavelength of a KrF excimer laser, thus enabling the easy formation of a finely defined pattern having sidewalls perpendicular to the substrate.

  一种抗蚀剂组合物包含（A）一种有机溶剂；（B）至少两种重量平均分子量在 1,000-500,000 之间的聚合物，这些聚合物具有至少一种酸易变基团，并在分子内和/或分子之间用具有 C-O-C 连接的交联基团交联；以及（C）一种光酸发生器，这种光酸发生器对高能辐射敏感，具有出色的灵敏度、分辨率和抗等离子刻蚀能力，并能提供具有出色热稳定性和可重复性的抗蚀图案。使用这种抗蚀剂组合物获得的图案不易悬空，具有极佳的尺寸可控性。这种抗蚀剂组合物适合用作超大规模集成电路制造中的微图案材料，因为它在 KrF 准分子激光的曝光波长下具有低吸收率，从而能够轻松形成具有垂直于基底侧壁的精细图案。
• High molecular weight silicone compounds, resist compositions, and patterning method
  申请人：——

  公开号：US20020058205A1

  公开（公告）日：2002-05-16

  The invention provides a high molecular weight silicone compound comprising recurring units of formula (1) and having a weight average molecular weight of 1,000-50,000. Some or all of the hydrogen atoms of carboxyl groups or carboxyl and hydroxyl groups in the silicone compound may be replaced by acid labile groups. 1 Z is a di- to hexavalent, non-aromatic, monocyclic or polycyclic hydrocarbon or bridged cyclic hydrocarbon group; Z is a di- to hexavalent, normal or branched hydrocarbon group or non-aromatic, monocyclic or polycyclic hydrocarbon or bridged cyclic hydrocarbon group; x, y and z are integers of 1-5 corresponding to the valence of Z and Z; R 1 is —OCHR—R—OH or —NHCHR—R—OH; R 2 is alkyl or alkenyl or a monovalent, non-aromatic, polycyclic hydrocarbon or bridged cyclic hydrocarbon group; p1, p2, p3 and p4 are 0 or positive numbers. A resist composition comprising the high molecular weight silicone compound as a base resin is sensitive to actinic radiation and has a high sensitivity and resolution so that it is suitable for microfabrication with electron beams or deep WV. Since the composition has low absorption at the exposure wavelength of an ArF or KrF excimer laser, a finely defined pattern having walls perpendicular to the substrate can be readily formed.

  本发明提供了一种由式（1）的重复单元组成的高分子量有机硅化合物，其重量平均分子量为 1,000-50,000 。有机硅化合物中羧基或羧基和羟基的部分或全部氢原子可被酸性基团取代。 1 Z 是二至六价、非芳香族、单环或多环烃类或桥接环烃类基团； Z 是二至六价、正态或支链烃类基团或非芳香族、单环或多环烃类或桥接环烃类基团； x、y 和 z 是对应于 Z 和 Z 的价数的 1-5 的整数； R 1 是-OCHR-R-OH 或-NHCHR-R-OH； R 2 是烷基或烯基或单价、非芳香族、多环烃或桥环烃基团；p1、p2、p3 和 p4 是 0 或正数。由高分子量有机硅化合物作为基础树脂的抗蚀剂组合物对阳极辐射敏感，具有高灵敏度和高分辨率，因此适用于使用电子束或深 WV 进行微细加工。由于该组合物在 ArF 或 KrF 准分子激光的曝光波长下具有低吸收性，因此可以很容易地形成具有垂直于基底壁的精细图案。
• Preparation of polymer, and resist composition using the polymer
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20020111459A1

  公开（公告）日：2002-08-15

  A polymer comprising recurring units of formula (2) is prepared by effecting deblocking reaction on a polymer comprising recurring units of formula (1) in the presence of an acid catalyst. 1 In the formulae, R 1 and R 4 are H or methyl, R 2 and R 3 are C1-C10 alkyl, or R 2 and R 3 may form a ring, R 5 is H, hydroxyl, alkyl, alkoxy or halogen, R 6 and R 7 are H, methyl, alkoxycarbonyl, cyano or halogen, R 8 is C4-C20 tertiary alkyl, n is an integer of 0 to 4, p is a positive number, q and r each are 0 or a positive number, exclusive of q=r=0, p1 is a positive number, p2 is 0 or a positive number, and p1+p2=p. The polymer thus produced has a narrower molecular weight distribution than polymers produced by the prior art methods. A resist composition comprising the polymer as a base resin has advantages including a dissolution contrast of resist film, high resolution, exposure latitude, process flexibility, good pattern profile after exposure, and minimized line edge roughness.

  在酸催化剂存在下，通过对包含式（1）递归单元的聚合物进行解锁反应，制备包含式（2）递归单元的聚合物。 1 式中，R 1 和 R 4 是 H 或甲基，R 2 和 R 3 是 C1-C10 烷基，或 R 2 和 R 3 可形成一个环，R 5 是 H、羟基、烷基、烷氧基或卤素，R 6 和 R 7 是 H、甲基、烷氧羰基、氰基或卤素，R 8 是 C4-C20 叔烷基，n 是 0 至 4 的整数，p 是正数，q 和 r 分别是 0 或正数，不包括 q=r=0, p1 是正数，p2 是 0 或正数，p1+p2=p。这样制得的聚合物与用现有技术方法制得的聚合物相比，分子量分布更窄。以该聚合物为基体树脂的抗蚀剂组合物具有抗蚀剂薄膜溶解对比度高、分辨率高、曝光宽容度大、工艺灵活、曝光后图案轮廓良好以及线边缘粗糙度最小等优点。
• Novel styrene polymer, chemically amplified positive resist composition and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20030013832A1

  公开（公告）日：2003-01-16

  A styrene polymer represented by formula (1), terminated with P, and having a weight average molecular 1 wherein R is OH or OR 3 , R 1 is H or CH 3 , R 2 is alkyl, R 3 is acid labile group, x≧0, y>0, k≧0, m≧0, n>0, 0

  由式（1）代表的苯乙烯聚合物，以 P 结尾，其重量平均分子为 1 其中 R 是 OH 或 OR 3 , R 1 是 H 或 CH 3 , R 2 是烷基，R 3 是酸性基团，x≧0, y>0, k≧0, m≧0, n>0, 0 化学放大正极抗蚀剂组合物具有高灵敏度和高分辨率，可形成具有耐等离子蚀刻性、耐热性和可重复性的抗蚀图案。