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5-hydroxy-3-methyl-2H-chromen-2-one | 1380698-00-9

中文名称
——
中文别名
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英文名称
5-hydroxy-3-methyl-2H-chromen-2-one
英文别名
5-hydroxy-3-methylchromen-2-one
5-hydroxy-3-methyl-2H-chromen-2-one化学式
CAS
1380698-00-9
化学式
C10H8O3
mdl
——
分子量
176.172
InChiKey
ZJHYOHJMCSQXCT-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.9
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.1
  • 拓扑面积:
    46.5
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    3

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

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文献信息

  • Hydantoin derivatives useful as Kv3 inhibitors
    申请人:Alvaro Giuseppe
    公开号:US09346790B2
    公开(公告)日:2016-05-24
    The invention provides compounds of formula (I): Said compounds being inhibitors of Kv3 channels and of use in the prophylaxis or treatment of related disorders.
    本发明提供了式(I)的化合物:所述化合物是Kv3通道的抑制剂,用于预防或治疗相关疾病。
  • Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:EP2813891A2
    公开(公告)日:2014-12-17
    In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of hydroxycoumarin is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO2 substrates.
    在光刻技术中,一种由包含羟基香豆素递归单元的酚醛树脂组成的组合物可用于形成光刻胶底层膜。该底层膜可在碱水中剥离,而不会对离子注入硅基底或二氧化硅基底造成损坏。
  • Neue Sulfonsäureester von Hydroxycumarinen, ihre Herstellung und sie enthaltende Arzneimittel
    申请人:BASF Aktiengesellschaft
    公开号:EP0111746B1
    公开(公告)日:1987-09-16
  • UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
    申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    公开号:US20140363956A1
    公开(公告)日:2014-12-11
    In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of hydroxycoumarin is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO 2 substrates.
  • US4618622A
    申请人:——
    公开号:US4618622A
    公开(公告)日:1986-10-21
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