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dimethyl benzotetrathiafulvalene-1,2-dicarboxylate | 62921-53-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
dimethyl benzotetrathiafulvalene-1,2-dicarboxylate
英文别名
4,5-dicarboxymethoxybenzotetrathiafulvalene;BDC-TTF;2-benzo[1,3]dithiol-2-ylidene-[1,3]dithiole-4,5-dicarboxylic acid dimethyl ester;Dimethyl 2-(1,3-benzodithiol-2-ylidene)-1,3-dithiole-4,5-dicarboxylate
dimethyl benzotetrathiafulvalene-1,2-dicarboxylate化学式
CAS
62921-53-3
化学式
C14H10O4S4
mdl
——
分子量
370.495
InChiKey
CEGAAESSGNIXEV-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
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  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    177-178 °C(Solv: methanol (67-56-1))
  • 沸点:
    417.4±45.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.593 g/cm3

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.1
  • 重原子数:
    22
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.14
  • 拓扑面积:
    154
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    8

SDS

SDS:3aa927394c635299b0b0dd426b9cc84f
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上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    dimethyl benzotetrathiafulvalene-1,2-dicarboxylate氢氧化钾 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 1.0h, 以83.2%的产率得到dipotassium benzotetrathiafulvalene-1,2-dicarboxylate
    参考文献:
    名称:
    新的不对称四硫富瓦烯羧酸酯衍生物的合成,电化学研究和晶体结构
    摘要:
    合成了一系列新的不对称四硫富瓦烯羧酸酯衍生物(7-11),并通过NMR,MS,电化学研究和X射线晶体结构测定对其进行了表征。随着对甲苯磺酸浓度的变化,化合物8显示出氧化还原峰电位的明显变化。
    DOI:
    10.1002/jhet.5570440413
  • 作为产物:
    描述:
    1,3-二硫杂环戊二烯-2-硫酮-4,5-二甲酸二甲酯 在 sodium tetrahydroborate 、 tetrafluoroboric acid 、 三氟化硼乙醚乙酸酐三乙胺 作用下, 以 乙腈 为溶剂, 生成 dimethyl benzotetrathiafulvalene-1,2-dicarboxylate
    参考文献:
    名称:
    苯并二甲氧基甲氧基四硫富瓦烯衍生物作为可溶性有机半导体
    摘要:
    一系列的轴承融合到TTF芯(二甲氧基羰基和苯基邻苯二甲酰亚胺或新基硫富瓦烯(TTF)衍生物6和15 - 18)已被合成为潜在可溶半导体材料的有机场效应晶体管(OFET)。吸电子取代基降低了HOMO和LUMO能级的能量,并增加了半导体材料的溶解性和稳定性。还描述了所有新的TTF衍生物的晶体结构,并进行了理论DFT计算,以研究在OFET中使用的晶体的潜力。在实验研究中,性能最佳的器件表现出的空穴迁移率高达7.5×10 -3 cm 2 V -1s -1)。
    DOI:
    10.1021/jo101817j
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文献信息

  • A Three-State Surface-Confined Molecular Switch with Multiple Channel Outputs
    作者:Cláudia Simão、Marta Mas-Torrent、Javier Casado-Montenegro、Francisco Otón、Jaume Veciana、Concepció Rovira
    DOI:10.1021/ja204898u
    日期:2011.8.31
    A self-assembled monolayer of a tetrathiafulvalene derivative on indium tin oxide is shown to operate as a ternary redox switch in which the magnetic and optical outputs are employed to provide a readout of the state. This surface-confined molecular switch exhibits excellent reversibility and stability and is thus promising for the development of molecular electronics.
  • MIZUNO M.; CAVA M. P., J. ORG. CHEM. <JOCE-AH>, 1978, 43, NO 3, 416-418
    作者:MIZUNO M.、 CAVA M. P.
    DOI:——
    日期:——
  • Syntheses, electrochemical studies and crystal structures of new unsymmetrical tetrathiafulvalene carboxylate derivatives
    作者:Wei Liu、Yun-Jun Guo、Jing-Lin Zuo、Xiao-Zeng You、Xi-Rui Zeng
    DOI:10.1002/jhet.5570440413
    日期:2007.7
    A series of new unsymmetrical tetrathiafulvalene carboxylate derivatives (7-11) were synthesized and characterized by NMR, MS, electrochemical studies and X-ray crystal structural determination. Compound 8 showed obvious changes in redox peak potentials as the concentration of p-toluenesulfonic acid changes.
    合成了一系列新的不对称四硫富瓦烯羧酸酯衍生物(7-11),并通过NMR,MS,电化学研究和X射线晶体结构测定对其进行了表征。随着对甲苯磺酸浓度的变化,化合物8显示出氧化还原峰电位的明显变化。
  • Benzodicarbomethoxytetrathiafulvalene Derivatives as Soluble Organic Semiconductors
    作者:Francisco Otón、Raphael Pfattner、Neil S. Oxtoby、Marta Mas-Torrent、Klaus Wurst、Xavier Fontrodona、Yoann Olivier、Jérôme Cornil、Jaume Veciana、Concepció Rovira
    DOI:10.1021/jo101817j
    日期:2011.1.7
    series of new tetrathiafulvalene (TTF) derivatives bearing dimethoxycarbonyl and phenyl or phthalimidyl groups fused to the TTF core (6 and 15−18) has been synthesized as potential soluble semiconductor materials for organic field-effect transistors (OFETs). The electron-withdrawing substituents lower the energy of the HOMO and LUMO levels and increase the solubility and stability of the semiconducting
    一系列的轴承融合到TTF芯(二甲氧基羰基和苯基邻苯二甲酰亚胺或新基硫富瓦烯(TTF)衍生物6和15 - 18)已被合成为潜在可溶半导体材料的有机场效应晶体管(OFET)。吸电子取代基降低了HOMO和LUMO能级的能量,并增加了半导体材料的溶解性和稳定性。还描述了所有新的TTF衍生物的晶体结构,并进行了理论DFT计算,以研究在OFET中使用的晶体的潜力。在实验研究中,性能最佳的器件表现出的空穴迁移率高达7.5×10 -3 cm 2 V -1s -1)。
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