titanium (1-methoxy-2-methyl-2-propoxide)4 | 851402-28-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: titanium (1-methoxy-2-methyl-2-propoxide)4
• 英文别名: Ti(1-methoxy-2-methyl-2-propoxy)4；tetrakis(1-methoxy-2-methyl-2-propoxy)titanium；1-Methoxy-2-methylpropan-2-olate;titanium(4+)；1-methoxy-2-methylpropan-2-olate;titanium(4+)
• CAS: 851402-28-3；309915-49-9
• 化学式: C₂₀H₄₄O₈Ti
• 分子量: 460.445
• InChiKey: NSIPDYNOORNMRL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  129
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  硅酸四乙酯 、 titanium (1-methoxy-2-methyl-2-propoxide)4 、 bismuth (1-methoxy-2-methyl-2-propoxide)3 以 further solvent(s) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Bi[sub 1−x−y]Ti[sub x]Si[sub y]O[sub z] 薄膜的原子层沉积来自醇盐前体和水

  摘要：

  Bi 1 - x - y Ti x Si y O z (BTSO) 薄膜通过原子层沉积使用 Bi(mmp) 3 、Ti(mmp) 4 和 Si(OEt) 4 (mmp = 1-甲氧基-2) 生长-甲基-2-丙氧化物；Et = 乙基）作为金属醇盐前体，水蒸气作为氧化剂气体，温度范围为 200-450°C，在 8 英寸直径的 Ru/SiO 2 /Si 或裸硅晶片上。由于醇盐前驱体的自限吸附和水解，BTSO薄膜在250°C下形成，其中饱和生长速率约为0.2 A/cycle。在 250-300°C 的温度范围内，X 射线衍射表明所得薄膜是非晶态的，电感耦合等离子体原子发射光谱表明 BTSO 中 Bi/(Bi + Ti) 的比率几乎与生长温度。卢瑟福背散射光谱分析表明，Bi的阳离子组成比：在 250°C 下在 Ru/SiO 2 /Si 衬底上生长的薄膜中的 Ti:Si 为 0.29:0.54:0.17。30

  DOI：

  10.1149/1.1984427

文献信息

• Ferroelectric and reliability properties of metal-organic chemical vapor deposited Pb(Zr0.15Ti0.85)O3 thin films grown in the self-regulation process window
  作者：Jin Shi Zhao、Hyun Ju Lee、Joon Seop Sim、Keun Lee、Cheol Seong Hwang

  DOI：10.1063/1.2198487

  日期：2006.4.24

  Ferroelectric reliability of Pb(Zr0.15Ti0.85)O3 films grown by metal-organic chemical vapor deposition at 570°C on an Ir electrode in the self-regulation process window [constant Pb concentration irrespective of the precursor input ratio (Pb∕(Zr+Ti), PIR)] was studied. Although the Pb composition and crystallinity of the films grown under different PIR were almost identical, the film grown under a

  在自调节工艺窗口中，通过金属有机化学气相沉积在 570°C 下在 Ir 电极上生长的 Pb(Zr0.15Ti0.85)O3 薄膜的铁电可靠性[恒定 Pb 浓度与前驱体输入比 (Pb∕( Zr+Ti)、PIR)]进行了研究。尽管在不同 PIR 下生长的薄膜的 Pb 成分和结晶度几乎相同，但在靠近工艺窗口中心的 PIR 下生长的薄膜表现出最好的铁电性能。X 射线光电子能谱表明，在较低和较高 PIR 下生长的薄膜分别具有残留的 ZrO2 和金属 Pb，这导致剩余极化和可靠性降低。
• Atomic Layer Deposition of Bi[sub 1−x−y]Ti[sub x]Si[sub y]O[sub z] Thin Films from Alkoxide Precursors and Water
  作者：Yo-Sep Min、Young Jin Cho、Ju-Hye Ko、Eun Ju Bae、Wanjun Park、Cheol Seong Hwang

  DOI：10.1149/1.1984427

  日期：——

  Bi 1 - x - y Ti x Si y O z (BTSO) thin films were grown by atomic layer deposition using Bi(mmp) 3 , Ti(mmp) 4 , and Si(OEt) 4 (mmp = 1 -methoxy-2-methyl-2-propoxide; Et =ethyl) as metal alkoxide precursors, and water vapor asthe oxidant gas in the temperature range of 200-450°C on 8-in.-diamter Ru/SiO 2 /Si or bare Si wafers. BTSO films were formed at 250°C as a result of self-limiting adsorption

  Bi 1 - x - y Ti x Si y O z (BTSO) 薄膜通过原子层沉积使用 Bi(mmp) 3 、Ti(mmp) 4 和 Si(OEt) 4 (mmp = 1-甲氧基-2) 生长-甲基-2-丙氧化物；Et = 乙基）作为金属醇盐前体，水蒸气作为氧化剂气体，温度范围为 200-450°C，在 8 英寸直径的 Ru/SiO 2 /Si 或裸硅晶片上。由于醇盐前驱体的自限吸附和水解，BTSO薄膜在250°C下形成，其中饱和生长速率约为0.2 A/cycle。在 250-300°C 的温度范围内，X 射线衍射表明所得薄膜是非晶态的，电感耦合等离子体原子发射光谱表明 BTSO 中 Bi/(Bi + Ti) 的比率几乎与生长温度。卢瑟福背散射光谱分析表明，Bi的阳离子组成比：在 250°C 下在 Ru/SiO 2 /Si 衬底上生长的薄膜中的 Ti:Si 为 0.29:0.54:0.17。30