3,4:9,10-bis(1’,2’-benzimidazole)-1,7-dibromoperylene | 956135-88-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 菲及其衍生物
• 英文名称: 3,4:9,10-bis(1’,2’-benzimidazole)-1,7-dibromoperylene
• 英文别名: 18,36-Dibromo-7,14,25,32-tetrazaundecacyclo[21.13.2.22,5.03,19.04,16.06,14.08,13.020,37.024,32.026,31.034,38]tetraconta-1(36),2,4,6,8,10,12,16,18,20(37),21,23(38),24,26,28,30,34,39-octadecaene-15,33-dione
• CAS: 956135-88-9
• 化学式: C₃₆H₁₄Br₂N₄O₂
• 分子量: 694.341
• InChiKey: KOYMKKPMLIYXGY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.7
• 重原子数：
  44
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  11.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  69.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  叔丁基对羟基茴香醚 、 3,4:9,10-bis(1’,2’-benzimidazole)-1,7-dibromoperylene 在 potassium carbonate 作用下， 以 N-甲基吡咯烷酮 为溶剂， 反应 24.0h， 以38.9%的产率得到18,36-bis(2-tert-butyl-4-methoxyphenoxy)-7,14,25,32-tetrazaundecacyclo[21.13.2.22,5.03,19.04,16.06,14.08,13.020,37.024,32.026,31.034,38]tetraconta-1(36),2,4,6,8,10,12,16,18,20(37),21,23(38),24,26,28,30,34,39-octadecaene-15,33-dione
  参考文献：
  名称：

  페릴렌 계열의 광차단막용 안료 및 그를 이용한 광경화성 조성물

  摘要：

  本发明提供了一种包含下述化学式1所示化合物的光阻隔层用颜料：[化学式1] 在上述式中，R和R分别独立地表示氰基、羟基、醚基、胺基或胺衍生物基，取代或未取代的C1~C20的烷氧基，取代或未取代的C1~C20的烷基，取代或未取代的C2~C20的烯基，取代或未取代的C2~C20的烷烯基，取代或未取代的C3~C20的环烷基，取代或未取代的C3~C20的环烯基，取代或未取代的C3~C20的环烷烯基，取代或未取代的C2~C20的杂环烷基，取代或未取代的C2~C20的杂环烯基，取代或未取代的C2~C20的杂环烷烯基，取代或未取代的C6~C30的芳基，或取代或未取代的C6~C30的芳氧基。根据本发明，光阻隔层用颜料相比传统的苯酚黑具有更优异的耐热性和分散性。

  公开号：

  KR20170066951A
• 作为产物：
  描述：

  3,4,9,10-苝四羧酸二酐 在 硫酸 、 碘 、 丙酸 作用下， 反应 46.0h， 生成 3,4:9,10-bis(1’,2’-benzimidazole)-1,7-dibromoperylene
  参考文献：
  名称：

  페릴렌 계열의 광차단막용 안료 및 그를 이용한 광경화성 조성물

  摘要：

  本发明提供了一种包含下述化学式1所示化合物的光阻隔层用颜料：[化学式1] 在上述式中，R和R分别独立地表示氰基、羟基、醚基、胺基或胺衍生物基，取代或未取代的C1~C20的烷氧基，取代或未取代的C1~C20的烷基，取代或未取代的C2~C20的烯基，取代或未取代的C2~C20的烷烯基，取代或未取代的C3~C20的环烷基，取代或未取代的C3~C20的环烯基，取代或未取代的C3~C20的环烷烯基，取代或未取代的C2~C20的杂环烷基，取代或未取代的C2~C20的杂环烯基，取代或未取代的C2~C20的杂环烷烯基，取代或未取代的C6~C30的芳基，或取代或未取代的C6~C30的芳氧基。根据本发明，光阻隔层用颜料相比传统的苯酚黑具有更优异的耐热性和分散性。

  公开号：

  KR20170066951A

文献信息

• [EN] "COMPOUNDS AS POTENTIAL DYE MOLECULES"<br/>[FR] COMPOSÉS UTILISÉS EN TANT QUE MOLÉCULES DE COLORANT POTENTIELLES
  申请人：LLEAF PTY LTD

  公开号：WO2019028508A1

  公开（公告）日：2019-02-14

  Disclosed herein are a series of compounds based on Formula (I). These compounds comprise perylene core which has been extended with optionally functionalised imidazoles at the 3,4;9,10 positions. The compounds of Formula (I) can be functionalised at two positions on the perylene core, such as the 1,6 or 1,7 positions. Also disclosed herein are compositions comprising said compounds, methods of forming said compounds and potential applications of said compounds, such as applying the compounds as a dye whose absorbance and fluorescence spectrum are red-shifted.

  本文披露了一系列基于化学式(I)的化合物。这些化合物包括带有可选择功能化的咪唑基团的苝芯，该苝芯在3,4;9,10位置进行了扩展。化学式(I)的化合物可以在苝芯的两个位置进行功能化，例如1,6或1,7位置。本文还披露了包含所述化合物的组合物、形成所述化合物的方法以及所述化合物的潜在应用，例如将化合物应用为吸收和荧光光谱向红移的染料。
• [EN] PHOTOPERIODIC CONTROL OF PHYTOCHROME WITH MATERIALS<br/>[FR] CONTRÔLE PHOTOPÉRIODIQUE DE PHYTOCHROME AVEC DES MATÉRIAUX
  申请人：LLEAF PTY LTD

  公开号：WO2020163917A1

  公开（公告）日：2020-08-20

  Disclosed herein are articles and devices, such as photo-selective films, which may be used to influence the growth of photosynthetic organisms. These article and devices may comprise one or more compounds of Formula (I) and/or Formula (II), along with one or more optional auxiliary dyes. Methods of controlling the growth of plants and for the manufacture of said articles and devices are also disclosed herein.

  本文披露了一些文章和设备，例如光选择性薄膜，可用于影响光合生物的生长。这些文章和设备可能包括一个或多个Formula（I）和/或Formula（II）的化合物，以及一个或多个可选的辅助染料。本文还披露了控制植物生长的方法以及用于制造上述文章和设备的方法。
• METHOD FOR PRODUCING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS
  申请人：Konemann Martin

  公开号：US20070259475A1

  公开（公告）日：2007-11-08

  A method for producing an organic field-effect transistor, comprising the steps of: a) providing a substrate comprising a gate structure, a source electrode and a drain electrode located on the substrate, and b) applying an n-type organic semiconducting compound to the area of the substrate where the gate structure, the source electrode and the drain electrode are located, wherein the n-type organic semiconducting compound is selected from the group consisting of compounds of the formula I wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are independently hydrogen, chlorine or bromine, with the proviso that at least one of these radicals is not hydrogen, Y 1 is O or NR a , wherein R a is hydrogen or an organyl residue, Y 2 is O or NR b , wherein R b is hydrogen or an organyl residue, Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 are O, where, in the case that Y 1 is NR a , one of the residues Z 1 and Z 2 may be a NR c group, where R a and R c together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds, where, in the case that Y 2 is NR b , one of the residues Z 3 and Z 4 may be a NR d group, where R b and R d together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds.
• US7910736B2
  申请人：——

  公开号：US7910736B2

  公开（公告）日：2011-03-22
• [EN] METHOD FOR PRODUCING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS<br/>[FR] PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
  申请人：BASF AG

  公开号：WO2007128774A1

  公开（公告）日：2007-11-15

  [EN] A method for producing an organic field-effect transistor, comprising the steps of: a) providing a substrate comprising a gate structure, a source electrode and a drain electrode located on the substrate, and b) applying an n-type organic semiconducting compound to the area of the substrate where the gate structure, the source electrode and the drain electrode are located, wherein the n-type organic semiconducting compound is selected from the group consisting of compounds of the formula (I) wherein R¹, R², R³ and R⁴ are independently hydrogen, chlorine or bromine, with the proviso that at least one of these radicals is not hydrogen, Y¹ is O or NR^a, wherein R^a is hydrogen or an organyl residue, Y² is O or NR^b, wherein R^b is hydrogen or an organyl residue, Z¹, Z², Z³ and Z⁴ are O, where, in the case that Y¹ is NR^a, one of the residues Z¹ and Z² may be a NR^c group, where R^a and R^c together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds, where, in the case that Y² is NR^b, one of the residues Z³ and Z⁴ may be a NR^d group, where R^b and R^d together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds.
  [FR] La présente invention concerne un procédé de production d'un transistor à effet de champ organique. A cet effet, a) on prend un substrat comprenant une structure de grille, une électrode source, et une électrode collectrce située sur le substrat, et b) un applique un composé organique semiconducteur de type n sur la zone du substrat occupée par la structure de grille, l'électrode source, et l'électrode collectrice. En l'occurrence, le composé organique semiconducteur de type n est choisi dans un groupe constitué de composés représentés par la formule (I). Dans cette formule, R¹, R², R³ et R⁴ sont indépendamment hydrogène, chlore ou brom (à la condition que l'un au moins de ces radicaux ne soit pas hydrogène). Y¹ est O ou NR^a, R^a étant hydrogène ou un résidu organyle. Y² est O ou NR^b, R^b étant hydrogène ou un résidu organyle. Z¹, Z², Z³ et Z⁴ sont O. Toutefois, si Y¹ est NR^a, l'un des résidus Z¹ et Z² peut être un groupe NR^c dans lequel R^a et R^c forment ensemble un groupe en pont portant 2 à 5 atomes entre les liaisons terminale bonds. En outre, su Y² est NR^b, l'un des résidus Z³ et Z⁴ peut être un groupe NR^d group. Et enfin, R^b et R^d forment ensemble un groupe en pont portant 2 à 5 atomes entre les liaisons terminales.