pentaphene-6,7-dione | 35473-37-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: pentaphene-6,7-dione
• CAS: 35473-37-1
• 化学式: C₂₂H₁₂O₂
• 分子量: 308.336
• InChiKey: KPYUJHKUBOWKIC-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  568.3±17.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.356±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.1
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  34.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  pentaphene-6,7-dione 在 氢气 作用下， 以 氯仿 为溶剂， 反应 2.0h， 以100%的产率得到pentaphene-6,7-diol
  参考文献：
  名称：

  含氢气和氧气的含邻苯二酚的芳香族化合物的氧化还原转换

  摘要：

  公开了在钯纳米粒子催化剂（SAPd）存在下含邻醌的五环芳族化合物与分子氢和氧的独特氧化还原转换。这些分子通过合成前的计算机筛选进行预测。开发了通过钯介导的均偶联和安息香缩合反应合成含邻醌的芳香族化合物的有效方案。基于它们的光致发光性质，观察到邻醌和芳族对苯二酚化合物之间的清晰转换。此外，邻醌部分的扭曲应变可能引起颜色和发射的剧烈变化。

  DOI：

  10.1002/anie.201601906
• 作为产物：
  描述：

  3,3'-Bis-hydroxymethyl-[2,2']binaphthyl 在 palladium on activated charcoal 、 四氧化锇 、 乙醚 、 4-异丙基甲苯 、 氢溴酸 、 溶剂黄146 、 苯基锂 、 苯 作用下， 生成 pentaphene-6,7-dione
  参考文献：
  名称：

  Badger et al., Journal of the Chemical Society, 1957, p. 1837,1840

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Borocyclic Radicals Prepared from Orthoquinone-Containing Polycyclic Aromatics by Photoirradiation
  作者：Kazuki Urakawa、Yurie Yatsuoka、Yuta Kawabata、Hyuma Masu、Masaki Matsuda、Hayato Ishikawa

  DOI：10.1021/acs.joc.1c02283

  日期：2022.3.4

  Borocyclic radicals with highly conjugated aromatics were generated from orthoquinone-containing polycyclic aromatic compounds by trapping the photoinduced triplet state with simple boron halide under irradiation with light of appropriate wavelength. The picene-based borocyclic radical was remarkably stable when stored at 23 °C in a desiccator for over 1 year. The crystal structure of this stable radical

  通过在适当波长的光照射下用简单的卤化硼捕获光致三重态，由含邻醌的多环芳族化合物生成具有高度共轭芳烃的硼环自由基。基于蒎烯的硼环自由基在 23°C 的干燥器中储存 1 年以上时非常稳定。这种稳定自由基的晶体结构具有平面π共轭体系的堆积结构，电导率高于普通有机自由基体系。
• A POLYMER, COMPOSITION, FORMING SACRIFICIAL LAYER AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH
  申请人：AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.a.r.l.

  公开号：US20190048129A1

  公开（公告）日：2019-02-14

  The present invention relates to a polymer, composition, the forming of a sacrificial layer and a method for producing a semiconductor device comprising a step during which a pattern is made using a photoresist by the photolithography method.
• [EN] A POLYMER, COMPOSITION, FORMING SACRIFICIAL LAYER AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH<br/>[FR] POLYMÈRE, COMPOSITION, FORMATION DE COUCHE SACRIFICIELLE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC CETTE COUCHE
  申请人：AZ ELECTRONIC MAT (LUXEMBOURG) S À R L

  公开号：WO2017137142A1

  公开（公告）日：2017-08-17

  The present invention relates to a polymer, composition, the forming of a sacrificial layer and a method for producing a semiconductor device comprising a step during which a pattern is made using a photoresist by the photolithography method.