开发了两种以
氰基修饰的1,1-二
氰基亚甲基-3-
茚满酮(IC)为端基和二
噻吩并
噻吩[3,2- b ]-
吡咯并苯并
噻二唑(BTP)单元为核心的非
富勒烯受体。两个电子受体表现出强烈的分子内电荷转移吸收,最大吸收峰在 832 nm,吸收边缘延伸至 953 nm,对应窄带隙低至 1.30 eV。与在混合γ/δ位具有
氰基的电子受体相比,在β位具有
氰基取代的电子受体表现出更多的扭曲结构和略高的能级。当采用宽带隙聚合物PM6作为供体时,β-
氰基取代受体的共混薄膜表现出更合适的相分离形貌和更平衡的电荷传输。基于 β-
氰基取代受体的器件实现了 0.88 V 的更大开路电压 ( V OC ) 比在混合 γ/δ 位具有
氰基的受体 ( V OC ) = 0.78 V),能量损失计算为0.45 eV,与具有γ/δ-
氰基取代受体的器件(PCE = 11.08%)相比,功率转换效率(PCE)高达12.41%。