cyclohexylbis(trifluoromethyl)carbinol | 15232-99-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: cyclohexylbis(trifluoromethyl)carbinol
• 英文别名: Cyclohexyl-bis(trifluormethyl)-methanol；1,1,1,3,3,3-Hexafluoro-2-cyclohexyl-2-propanol；2-cyclohexyl-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol
• CAS: 15232-99-2
• 化学式: C₉H₁₂F₆O
• 分子量: 250.184
• InChiKey: ACPCAXAKOBMLSU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  20.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  1,1,1,3,3,3-六氟-2-(4-羟基苯基)-2-丙醇 以20%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  FIALKOV, YU. A.;STRUCHKOV, YU. T.;ZALESSKAYA, I. M.;YANOVSKIJ, A. I.;KALI+, ZH. OBSHCH. XIMII, 1985, 55, N 1, 144-150

  摘要：

  DOI：

文献信息

• POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：NISHI Tsunehiro

  公开号：US20100062374A1

  公开（公告）日：2010-03-11

  A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising recurring units containing a non-leaving hydroxyl group represented by formula (1) wherein R 1 is H, methyl or trifluoromethyl, X is a single bond or methylene, m is 1 or 2, and the hydroxyl group attaches to a secondary carbon atom. The composition is improved in resolution when processed by lithography.

  一种正性光刻胶组合物包括（A）在酸的作用下在碱性显影剂中变得可溶的树脂组分和（B）酸发生剂。树脂（A）是一种聚合物，包含由式（1）表示的非离去羟基的重复单元，其中R1为H、甲基或三氟甲基，X为单键或亚甲基，m为1或2，并且羟基连接到次级碳原子。当通过光刻工艺处理时，该组合物在分辨率方面得到改善。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20090246694A1

  公开（公告）日：2009-10-01

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• New or improved syntheses of the polyfluoroalcohols HOC(cyclo-C6H11)2(CF3), HO(cyclo-C6H11)(CF3)2, and HOC(Ar)(CF3)2 (Ar = 4-C6H4(t-Bu), 2,4,6-C6H2(CF3)3, 4-Si(i-Pr)3-2,6-C6H2(CF3)2, 3,5-C6H3(CH3)2), and 2-C6H4(C(OH)(CF3)2)
  作者：Thomas J. Barbarich、Benjamin G. Nolan、Shoichi Tsujioka、Susie M. Miller、Oren P. Anderson、Steven H. Strauss

  DOI：10.1016/s0022-1139(01)00471-7

  日期：2001.12

  Five new polyfluoroalcohols, HOC(cyclo-C6H11)2(CF3), HO(cyclo-C6H11)(CF3)2, HOC(2,4,6-C6H2(CF3)3)(CF3)2, HOC(4-Si(i-Pr)3-2,6-C6H2(CF3)2)(CF3)2, and HOC(3,5-C6H3(CH3)2)(CF3)2, have been synthesized, and new procedures with improved yields for two known polyfluoroalcohols (HOC(cyclo-C6H11)(CF3)2, HOC(4-C6H4(t-Bu))(CF3)2) have been developed. Variable temperature NMR spectra and the X-ray structure of

  五种新的多氟醇HOC（环-C 6 H 11）2（CF 3），HO（环-C 6 H 11）（CF 3）2，HOC（2,4,6-C 6 H 2（CF 3）3）（CF 3）2，HOC（4-Si（i -Pr）3 -2,6-C 6 H 2（CF 3）2）（CF 3）2和HOC（3,5-C 6 H 3（CH 3）2）（CF3）2，已经合成，并且对两种已知的多氟醇（HOC（cyclo-C 6 H 11）（CF 3）2，HOC（4-C 6 H 4（t -Bu））（CF 3）2）已经开发。新型多氟醇之一HOC（2,4,6-C 6 H 2（CF 3）3）（CF 3）2的可变温度NMR光谱和X射线结构，也有报道。在烃溶液中，OH的氢与所述一个的氟原子中的一个，该化合物相互作用的原子ö -CF 3基团以这样的方式与先前由我们HOC（4-硅（报告我-Pr）3 - 2,6-C 6 H 2（CF 3）2）（CF 3）2。然而，在固态下，HOC（2
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH( )CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。