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2,2-difluoro-3-hydroxy-4-methylpentanoic acid | 1248233-69-3

中文名称
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中文别名
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英文名称
2,2-difluoro-3-hydroxy-4-methylpentanoic acid
英文别名
——
2,2-difluoro-3-hydroxy-4-methylpentanoic acid化学式
CAS
1248233-69-3
化学式
C6H10F2O3
mdl
——
分子量
168.14
InChiKey
RPDGATXUWOOFSA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
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  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.2
  • 重原子数:
    11
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.83
  • 拓扑面积:
    57.5
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    5

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

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文献信息

  • Fluorinated ester monomer, making method, fluorinated ester polymer, and difluorohydroxycarboxylic acid
    申请人:Kinsho Takeshi
    公开号:US08697903B2
    公开(公告)日:2014-04-15
    A fluorinated ester monomer is provided having formula (1) wherein R1 is H, CH3 or CF3, R2 and R3 are H or a monovalent hydrocarbon group, or R2 and R3 forms a hydrocarbon ring, R4 is a monovalent hydrocarbon group, and k is 0 or 1. A polymer obtained from the monomer has transparency to radiation with a wavelength of up to 200 nm and appropriate alkaline hydrolysis, is constructed such that any of water repellency, water slip and surface segregation may be adjusted by a choice of its structure, and is useful in forming ArF immersion lithography materials.
    提供一种具有公式(1)的化酯单体,其中R1为H、CH3CF3,R2和R3为H或单价烃基,或R2和R3形成烃环,R4为单价烃基,k为0或1。从该单体获得的聚合物具有对波长高达200纳米的辐射透明度和适当的碱性解性能,其结构可以通过选择进行任何的防性、滑性和表面分离调整,并且在形成ArF浸没光刻材料方面非常有用。
  • FLUORINATED ESTER MONOMER, MAKING METHOD, FLUORINATED ESTER POLYMER, AND DIFLUOROHYDROXYCARBOXYLIC ACID
    申请人:KINSHO Takeshi
    公开号:US20120083580A1
    公开(公告)日:2012-04-05
    A fluorinated ester monomer is provided having formula (1) wherein R 1 is H, CH 3 or CF 3 , R 2 and R 3 are H or a monovalent hydrocarbon group, or R 2 and R 3 forms a hydrocarbon ring, R 4 is a monovalent hydrocarbon group, and k is 0 or 1. A polymer obtained from the monomer has transparency to radiation with a wavelength of up to 200 nm and appropriate alkaline hydrolysis, is constructed such that any of water repellency, water slip and surface segregation may be adjusted by a choice of its structure, and is useful in forming ArF immersion lithography materials.
    提供了一种化酯单体,其化学式为(1),其中R1为H、CH3CF3,R2和R3为H或单价碳氢基团,或R2和R3形成碳氢环,R4为单价碳氢基团,k为0或1。从该单体中获得的聚合物具有对波长达200纳米的辐射透明度和适当的碱性解性,其结构可以通过选择来调节任何的防性、滑性和表面分离性,可用于制备ArF浸没光刻材料。
  • ONIUM SALT COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20210179554A1
    公开(公告)日:2021-06-17
    An onium salt having formula (1) serving as an acid diffusion inhibitor and a chemically amplified resist composition comprising the acid diffusion inhibitor are provided. When processed by lithography, the resist composition exhibits a high sensitivity, and excellent lithography performance factors such as CDU and LWR.
    提供一种具有化学式(1)的醇盐,用作酸扩散抑制剂,以及包括该酸扩散抑制剂化学增强型抗蚀剂组合物。当通过光刻加工时,该抗蚀剂组合物表现出高灵敏度和优异的光刻性能因素,例如CDU和LWR。
  • RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20200249571A1
    公开(公告)日:2020-08-06
    A resist composition comprising a sulfonium salt having formula (1) as PAG, a base polymer, and an organic solvent, when processed by lithography, has light transmittance, acid diffusion suppressing effect, and excellent lithography performance factors such as DOF, LWR and MEF. A lithography process for forming a resist pattern from the composition is also provided.
    一种抗蚀组合物,包括具有公式(1)作为PAG的磺酸盐、基础聚合物和有机溶剂。在光刻工艺中加工时,该组合物具有光透过率、抑制酸扩散效果和优异的光刻性能因素,例如DOF、LWR和MEF。还提供了一种从该组合物形成抗蚀图案的光刻工艺。
  • ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20220127225A1
    公开(公告)日:2022-04-28
    An onium salt having formula (1) serving as an acid diffusion inhibitor and a chemically amplified resist composition comprising the acid diffusion inhibitor are provided. When processed by lithography, the resist composition forms a pattern having minimal defects and excellent lithography performance factors such as CDU, LWR and DOF.
    提供一种化学式为(1)的盐类,作为酸扩散抑制剂,并提供一种化学增强型光刻胶组合物,其中包括该酸扩散抑制剂。当通过光刻技术进行加工时,该光刻胶组合物形成的图案具有最小的缺陷和出色的光刻性能因子,如CDU、LWR和DOF。
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