2,5-diiodothieno[2,3-b]thiophene | 53020-14-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 噻吩并噻吩类
• 英文名称: 2,5-diiodothieno[2,3-b]thiophene
• CAS: 53020-14-7
• 化学式: C₆H₂I₂S₂
• 分子量: 392.023
• InChiKey: OVBSPMXNGGGEJN-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  394.8±37.0 °C(Predicted)
• 密度：
  2.673±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.3
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,5-diiodothieno[2,3-b]thiophene 、 triphenylphosphinegold(I)(4,4,5,5-tetramethyl-4,5-dihydro-3-oxid-1-oxyl-1H-imidazol-2-ide) 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 4.5h， 以84%的产率得到2,5-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1-oxyl-3-oxide-imidazoline-2-yl)thieno<2,3-b>thiophene
  参考文献：
  名称：

  稠合噻吩偶联剂的硝酰基硝基氧双自由基的合成，结构和性能

  摘要：

  官能化的双基自由基由于其固有的高反应活性和磁活性而被广泛用于化学，物理，生物学和材料科学，但是平面双基自由基分子的合成仍然是一个挑战。本文介绍了二价自由基的有效合成和性质，其中二硝基硝基氮氧化物片段和稠合噻吩桥几乎共面。通过自由基催化钯（2,5-二碘代噻吩并[2,3- b ]金络合物（2-亚硝基硝基氧-2-化物）（三苯基膦）金络合物的钯催化偶联反应制备双自由基DR 1，DR 2，DR 4。噻吩，2,5-二碘噻吩并[3,2- b ]噻吩或2,6-二碘二噻吩并[3,2- b：2'，3'- d ]噻吩。硝酰基氮氧化物片段的平面与熔融噻吩系统之间的扭转角在2.6–8.5°的范围内。DR 2和DR 4的平面性使Kekulé型耦合器单元成为有效的桥，通过自旋极化机制传输磁相互作用。根据磁化率测量结果，在密度泛函理论计算的支持下，DR 2的单重态-三重态能量分裂（2  J / k B）为-130 K，DR

  DOI：

  10.1002/poc.3561
• 作为产物：
  描述：

  噻吩[2,3-B]噻吩 在 正丁基锂 、 碘 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 2,5-diiodothieno[2,3-b]thiophene
  参考文献：
  名称：

  Mono-, Oligo- and Polythieno(2,3-b)thiophenes

  摘要：

  公开号：

  EP1510535B1

文献信息

• Mono-, oligo-and polythieno[2,3-b]thiophenes
  申请人：Heeney Martin

  公开号：US20050090640A1

  公开（公告）日：2005-04-28

  The invention relates to novel mono-, oligo and poly[2,3-b]-thienothiophenes, their use as semiconductors or charge transport materials, in optical, electro-optical or electronic devices like for example liquid crystal displays, optical films, organic field effect transistors (FET or OFET) for thin film transistor liquid crystal displays and integrated circuit devices such as RFID tags, electroluminescent devices in flat panel displays, and in photovoltaic and sensor devices, and to a field effect transistor, light emitting device or ID tag comprising the novel polymers.

  本发明涉及新型单体、寡聚体和聚[2,3-b]-噻吩噻吩，它们可用作半导体或电荷传输材料，在光学、电光或电子器件中使用，例如液晶显示器、光学薄膜、用于薄膜晶体管液晶显示器和集成电路器件（如RFID标签）、平板显示器中的电致发光器件，以及光伏和传感器器件。本发明还涉及一种场效应晶体管、发光器件或ID标签，其中包含新型聚合物。
• ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM MANUFACTURING METHOD
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：EP3346504A1

  公开（公告）日：2018-07-11

  An object of the present invention is to provide an organic thin film transistor exhibiting high carrier mobility and a low threshold voltage and having excellent heat resistance, a method of manufacturing an organic thin film transistor, an organic semiconductor composition, an organic semiconductor film, and a method of manufacturing an organic semiconductor film. The organic thin film transistor according to the present invention includes, on a substrate, a gate electrode; an organic semiconductor layer containing an organic semiconductor compound; a gate insulating layer provided between the gate electrode and the organic semiconductor layer; and a source electrode and a drain electrode which are provided to be in contact with the organic semiconductor layer and are linked to each other via the organic semiconductor layer, in which the organic semiconductor layer is in contact with a layer containing a resin (C) or further contains the resin (C), and in which the organic semiconductor compound has a molecular weight of 2,000 or greater and has a repeating unit represented by Formula (1).         (̵D-A)̵     (1)

  本发明的目的是提供一种具有高载流子迁移率和低阈值电压并具有优异耐热性的有机薄膜晶体管、一种制造有机薄膜晶体管的方法、一种有机半导体组合物、一种有机半导体薄膜以及一种制造有机半导体薄膜的方法。根据本发明的有机薄膜晶体管包括：在基板上的栅极；含有有机半导体化合物的有机半导体层；设置在栅极和有机半导体层之间的栅极绝缘层；有机半导体层与含有树脂（C）或进一步含有树脂（C）的层接触，其中有机半导体化合物的分子量大于或等于 2,000，并具有由式（1）表示的重复单元。 (̵D-A)̵ (1)
• US7183418B2
  申请人：——

  公开号：US7183418B2

  公开（公告）日：2007-02-27