spacers were synthesized and characterized by cyclic voltammetry, UV―vis absorption spectroscopy, quantum chemical calculations, single-crystal X-ray analysis, overlap integral calculations, field-effecttransistor (FET) characteristics, X-ray diffraction, and atomic force microscopy (AFM). The single-crystal X-ray analysis revealed that the DBTTF with a thieno[3,2-b]thiophene spacer has a molecular geometry
合成了含有稠合噻吩间隔基的二苯并四硫富瓦烯 (DBTTF) 类似物,并通过循环伏安法、紫外-可见吸收光谱、量子化学计算、单晶 X 射线分析、重叠积分计算、场效应晶体管 (FET) 特性、X-射线衍射和原子力显微镜 (AFM)。单晶X射线分析表明,具有噻吩并[3,2-b]噻吩间隔基的DBTTF具有具有短分子内S…S接触的分子几何结构和具有短分子间S…S的人字形堆积结构接触导致大的二维重叠积分。该分子提供了具有与单晶结构相对应的有序分子取向的结晶薄膜。基于该分子的 FET 器件表现出良好的 0 迁移率。