8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide | 1384954-15-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 二芳基庚烷
• 英文名称: 8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide
• 英文别名: 8-phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide
• CAS: 1384954-15-7
• 化学式: C₄₄H₂₉OP
• 分子量: 604.687
• InChiKey: AUGDPQQZLXJLJL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.7
• 重原子数：
  46
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  9.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  17.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide 在 劳森试剂 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 2.5h， 以86%的产率得到8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)-8-sulfanylideneacenaphthyleno[1,2-c]phosphole
  参考文献：
  名称：

  α，α'-二芳基萘并[1,2-c]磷P-氧化物：有机太阳能电池阴极缓冲层的不同合成及其应用

  摘要：

  建立了一种发散合成α，α'-二芳基萘并[1,2- c ]磷脂P-氧化物的方法。α，α'-dibromoacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P氧化物，将其通过制备的Ti II介导的1,8-双（三甲基硅乙炔）萘的环化，进行了具有的Stille三种不同aryltributylstannanes的耦合，得到α， α'-diarylacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P -oxides在中度至良好的产率。X射线晶体学分析和UV / Vis吸收/荧光测量表明，ph的π共轭度，堆积基序，电子接受能力和热稳定性[ c]]磷π系统可以与α-芳基取代基很好地调节。所有的PO和PS衍生物在电化学还原状态下均表现出高稳定性。要将此类芳烃融合的π系统用作n型半导体材料，我们评估了由聚（3-己基噻吩），茚-C 70双加合物和阴极缓冲层。所述diarylacenaphtho [插入Ç ]磷杂环P -ox

  DOI：

  10.1002/asia.201200492
• 作为产物：
  描述：

  1,8-bis(trimethylsilylethynyl)naphthalene 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 四(三苯基膦)钯 、 异丙基氯化镁 、 间氯过氧苯甲酸 作用下， 以 乙醚 、 甲苯 、 乙腈 为溶剂， 反应 118.17h， 生成 8-Phenyl-7,9-bis(4-phenylphenyl)acenaphthyleno[1,2-c]phosphole 8-oxide
  参考文献：
  名称：

  α，α'-二芳基萘并[1,2-c]磷P-氧化物：有机太阳能电池阴极缓冲层的不同合成及其应用

  摘要：

  建立了一种发散合成α，α'-二芳基萘并[1,2- c ]磷脂P-氧化物的方法。α，α'-dibromoacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P氧化物，将其通过制备的Ti II介导的1,8-双（三甲基硅乙炔）萘的环化，进行了具有的Stille三种不同aryltributylstannanes的耦合，得到α， α'-diarylacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P -oxides在中度至良好的产率。X射线晶体学分析和UV / Vis吸收/荧光测量表明，ph的π共轭度，堆积基序，电子接受能力和热稳定性[ c]]磷π系统可以与α-芳基取代基很好地调节。所有的PO和PS衍生物在电化学还原状态下均表现出高稳定性。要将此类芳烃融合的π系统用作n型半导体材料，我们评估了由聚（3-己基噻吩），茚-C 70双加合物和阴极缓冲层。所述diarylacenaphtho [插入Ç ]磷杂环P -ox

  DOI：

  10.1002/asia.201200492

文献信息

• α,α′-Diarylacenaphtho[1,2-<i>c</i>]phosphole<i>P</i>-Oxides: Divergent Synthesis and Application to Cathode Buffer Layers in Organic Photovoltaics
  作者：Yoshihiro Matano、Arihiro Saito、Yuto Suzuki、Tooru Miyajima、Seiji Akiyama、Saika Otsubo、Emi Nakamoto、Shinji Aramaki、Hiroshi Imahori

  DOI：10.1002/asia.201200492

  日期：2012.10

  and the thermal stability of the acenaphtho[c]phosphole π‐systems are finely tunable with the α‐aryl substituents. All the PO and PS derivatives exhibited high stability in their electrochemically reduced state. To use this class of arene‐fused phosphole π‐systems as n‐type semiconducting materials, we evaluated device performances of the bulk heterojunction organic photovoltaics (OPV) that consist

  建立了一种发散合成α，α'-二芳基萘并[1,2- c ]磷脂P-氧化物的方法。α，α'-dibromoacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P氧化物，将其通过制备的Ti II介导的1,8-双（三甲基硅乙炔）萘的环化，进行了具有的Stille三种不同aryltributylstannanes的耦合，得到α， α'-diarylacenaphtho [ C ^ ]磷杂环P -oxides在中度至良好的产率。X射线晶体学分析和UV / Vis吸收/荧光测量表明，ph的π共轭度，堆积基序，电子接受能力和热稳定性[ c]]磷π系统可以与α-芳基取代基很好地调节。所有的PO和PS衍生物在电化学还原状态下均表现出高稳定性。要将此类芳烃融合的π系统用作n型半导体材料，我们评估了由聚（3-己基噻吩），茚-C 70双加合物和阴极缓冲层。所述diarylacenaphtho [插入Ç ]磷杂环P -ox