摘要:
合成并表征了由N-异丙基咔唑/二甲基甲硅烷基桥/二乙烯基苯单元组成的新型共聚物。在极性溶剂中在该共聚物中观察到双重荧光。在非极性溶剂中两个发射最大值的较低跃迁能处没有第二能带,并且较低能量发射带最大值与溶剂极性的定量相关性表明,较低能量发射带来自分子内电荷转移(ICT) ) 状态。合成了一系列模型化合物以研究电荷转移的来源。发现带有一个N的Si桥联二元-异丙基咔唑和单个二乙烯基苯是观察双发光所必需的最小结构。低温玻璃缺乏双重发光表明ICT需要改变共聚物的构象。硅桥联二元体中的类似行为表明,共聚物中的ICT跨硅桥。皮秒和亚纳秒激发的时间分辨发光测量结果被用于支持这样的论点,即扭曲的电荷转移状态可能是观察到的双重发光的来源。