Memory devices based on functionalized copolymers exhibiting a linear dependence of switch threshold voltage with the pendant nitro-azobenzene moiety content change
摘要:
一种基于悬垂共聚物的非易失性纳米级存储器件具有一次写入、多次读取(WORM)的特性,最高导通/关断电流比可达 104,且保持时间长。此外,还观察到该器件的开关阈值电压与共聚物中的官能团含量几乎呈线性变化。研究了共聚物纳米薄膜的循环伏安(CV)曲线和紫外-可见光谱,所得结果与线性递减记忆行为有关。分子模拟结果表明,电子密度从 HOMO 到 LUMO 表面的转变在电场作用下是永久性的,并且在外部电压移除后不会恢复到原始状态。