ethyl (E)-3-(trimethylsilyl)prop-2-enoate | 144918-30-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: ethyl (E)-3-(trimethylsilyl)prop-2-enoate
• 英文别名: ethyl (E)-3-trimethylsilylprop-2-enoate
• CAS: 144918-30-9
• 化学式: C₈H₁₆O₂Si
• 分子量: 172.299
• InChiKey: VENPIEQWBFKWBL-VOTSOKGWSA-N

物化性质

• 沸点：
  173.7±23.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.890±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.98
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.62
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  ethyl (E)-3-(trimethylsilyl)prop-2-enoate 在 二异丁基氢化铝 作用下， 以 二氯甲烷 、 环己烷 为溶剂， 生成 反-3-(三甲基硅基)烯丙醇
  参考文献：
  名称：

  通过铜催化的线性烯丙基卤化物的烯丙基取代，可方便地获得支链烯丙基硅烷。

  摘要：

  前所未有的铜催化的烯丙基转座能够通过直接的C-Si键形成从线性烯丙基卤化物进行区域选择性合成支链烯丙基硅烷。

  DOI：

  10.1039/b920793g
• 作为产物：
  描述：

  磷酰基乙酸三乙酯 、 formyltrimethylsilane 在 1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯 、 lithium chloride 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 ethyl (E)-3-(trimethylsilyl)prop-2-enoate
  参考文献：
  名称：

  通过铜催化的线性烯丙基卤化物的烯丙基取代，可方便地获得支链烯丙基硅烷。

  摘要：

  前所未有的铜催化的烯丙基转座能够通过直接的C-Si键形成从线性烯丙基卤化物进行区域选择性合成支链烯丙基硅烷。

  DOI：

  10.1039/b920793g

文献信息

• A convenient synthesis of (E)-β-ethoxycarbonylvinylsilanes by palladium-catalysed regio- and stereo-specific hydroesterification of trimethylsilylacetylenes
  作者：Ryo Takeuchi、Masaharu Sugiura、Naomi Ishii、Nobuhiro Sato

  DOI：10.1039/c39920001358

  日期：——

  Palladium-catalysed hydroesterification of trimethylsilylacetylenes 1 gives (E)-β-ethoxycarbonylvinylsilanes 2 exclusively in excellent yields.

  钯催化的氢酯化反应中，三甲基硅基乙炔1只生成（E)-β-乙氧基羧基乙烯基硅烷2，并且产率极高。
• Takeuchi, Ryo; Sugiura, Masaharu, Journal of the Chemical Society. Perkin transactions I, 1993, # 9, p. 1031 - 1038
  作者：Takeuchi, Ryo、Sugiura, Masaharu

  DOI：——

  日期：——
• Expedient access to branched allylic silanes by copper-catalysed allylic substitution of linear allylic halides
  作者：Devendra J. Vyas、Martin Oestreich

  DOI：10.1039/b920793g

  日期：——

  An unprecedented copper-catalysed allylic transposition enables the regioselective synthesis of branched allylic silanes from linear allylic halides through direct C-Si bond formation.

  前所未有的铜催化的烯丙基转座能够通过直接的C-Si键形成从线性烯丙基卤化物进行区域选择性合成支链烯丙基硅烷。