N,N-dimethyl-L-isoleucine methyl ester | 96359-39-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: N,N-dimethyl-L-isoleucine methyl ester
• 英文别名: methyl (2S,3S)-2-(dimethylamino)-3-methylpentanoate
• CAS: 96359-39-6
• 化学式: C₉H₁₉NO₂
• 分子量: 173.255
• InChiKey: JQZKPEDWYIPXKC-YUMQZZPRSA-N

物化性质

• 沸点：
  198.5±23.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.918±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.9
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.89
• 拓扑面积：
  29.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N-dimethyl-L-isoleucine methyl ester 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 (2S,3S)-2-(dimethylamino)-3-methylpentan-1-ol
  参考文献：
  名称：

  三氟甲基化氨基醇配体的合成和利用，用于对映选择性的Reformatsky反应，以及将二乙基锌加到N-（二苯基膦酰基）亚胺中

  摘要：

  设计并方便地制备了一系列三氟甲基化的氨基醇配体，分别成功地用于对映选择性的Reformatsky反应和将二乙基锌分别添加到N-（二苯基膦酰基）亚胺中。仔细研究了取代基对C-3位和氨基部分对映选择性的影响。在最佳情况下，配体1b对86％ee的对映选择性Reformatsky反应表现出良好的选择性，而配体12d通过向具有95％ee的N-（二苯基膦酰基）亚胺中添加二乙基锌，提供了出色的对映选择性。

  DOI：

  10.1016/j.tet.2008.05.043
• 作为产物：
  描述：

  聚合甲醛 、 L-异亮氨酸甲酯盐酸盐 在 palladium on activated charcoal 氢气 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 以4.014 g的产率得到N,N-dimethyl-L-isoleucine methyl ester
  参考文献：
  名称：

  三氟甲基化氨基醇配体的合成和利用，用于对映选择性的Reformatsky反应，以及将二乙基锌加到N-（二苯基膦酰基）亚胺中

  摘要：

  设计并方便地制备了一系列三氟甲基化的氨基醇配体，分别成功地用于对映选择性的Reformatsky反应和将二乙基锌分别添加到N-（二苯基膦酰基）亚胺中。仔细研究了取代基对C-3位和氨基部分对映选择性的影响。在最佳情况下，配体1b对86％ee的对映选择性Reformatsky反应表现出良好的选择性，而配体12d通过向具有95％ee的N-（二苯基膦酰基）亚胺中添加二乙基锌，提供了出色的对映选择性。

  DOI：

  10.1016/j.tet.2008.05.043

文献信息

• BENZAMIDE DERIVATIVE OR SALT THEREOF
  申请人：Astellas Pharma Inc.

  公开号：EP1632477B1

  公开（公告）日：2017-03-01
• RESIST PROTECTIVE COATING COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：HARADA Yuji

  公开号：US20090286182A1

  公开（公告）日：2009-11-19

  A protective coating composition comprising a copolymer of an alkali-soluble (α-trifluoromethyl)acrylate and a norbornene derivative as a base polymer, optionally in admixture with a second polymer containing sulfonic acid and/or sulfonic acid amine salt in repeat units is applied onto a resist film. The protective coating is effective in minimizing development defects and forming a resist pattern of improved profile.
• US7585878B2
  申请人：——

  公开号：US7585878B2

  公开（公告）日：2009-09-08
• US7855198B2
  申请人：——

  公开号：US7855198B2

  公开（公告）日：2010-12-21
• US8088537B2
  申请人：——

  公开号：US8088537B2

  公开（公告）日：2012-01-03