申请人:DONGJIN SEMICHEM CO., LTD. 주식회사 동진쎄미켐(119981067679) Corp. No ▼ 120111-0003848BRN ▼137-81-07814
公开号:KR101763822B1
公开(公告)日:2017-08-02
화학 증폭형 레지스트(resist) 재료 등에 사용되는 신규 술폰산염, 이로부터 제조되는 광산발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 술폰산염은 하기 화학식 1로 표시된다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R 및 R는 각각 독립적으로 수소 원자(H), 히드록시기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 카르복시기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 선형, 분지형 또는 환형 탄화수소기이고, X 및 X는 각각 독립적으로 불소 원자(F), 히드록시기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 선형, 분지형 또는 환형 탄화수소기이고, Y는 산소 원자(O) 또는 아미노기(-NH-)이고, n은 1 내지 10의 정수이며, M+는 양이온을 나타낸다.
这是一篇科技文献,介绍了一种用于化学扩增型光刻胶材料的新型磺酸盐,以及由此制造的光致发生剂和包含它的光刻胶组合物,以及利用它进行图案形成的方法。上述磺酸盐由化学式1表示。[化学式1] 在上述化学式1中,R和R分别独立地表示氢原子(H),羟基,1至20个碳的烷氧基,羧基,或1至20个线性,支链或环状碳氢基的取代或未取代物,X和X分别独立地表示氟原子(F),羟基,或1至20个线性,支链或环状碳氢基的取代或未取代物,Y表示氧原子(O)或氨基(-NH-),n是1至10的整数,M+表示阳离子。