Adamantyl-(1)-carbaldehyd-dimethylacetal | 21267-51-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: Adamantyl-(1)-carbaldehyd-dimethylacetal
• 英文别名: 1-(Dimethoxymethyl)adamantane；1-(dimethoxymethyl)adamantane
• CAS: 21267-51-6
• 化学式: C₁₃H₂₂O₂
• 分子量: 210.316
• InChiKey: WYTNMUDMIBBJDS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  甲醇 、 1-金刚烷甲醛 在 盐酸 作用下， 生成 Adamantyl-(1)-carbaldehyd-dimethylacetal
  参考文献：
  名称：

  Bott,K., Justus Liebigs Annalen der Chemie, 1972, vol. 755, p. 58 - 66

  摘要：

  DOI：

文献信息

• ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANKS, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK EACH USING THE COMPOSITION
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US20150010855A1

  公开（公告）日：2015-01-08

  There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition containing (α) a compound represented by the formula (αI) capable of generating an acid having a size of 200 Å 3 or more in volume and (β) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, and the formula (αI) is defined as herein, and a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, a resist-coated mask blanks coated with the resist film, a resist pattern forming method comprising exposing the resist film and developing the exposed film, a photomask obtained by exposing and developing the resist-coated mask blanks, a method for manufacturing an electronic device, comprising the resist pattern forming method and an electronic device manufactured by the manufacturing method of an electronic device.

  提供一种感光或辐射敏感的组合物，其中包含(α)一种化合物，其由公式(αI)表示，能够产生大小为200Å3或更大的体积的酸，以及(β)一种化合物，能够在受到光辐射或辐射时产生酸，公式(αI)的定义如本文所述。还提供了使用该感光或辐射敏感组合物形成的光阻膜，涂有光阻膜的光阻涂层掩模坯料，包括曝光光阻膜和显影曝光后膜的光阻图案形成方法，通过曝光和显影涂有光阻涂层的掩模坯料获得的光掩模，以及一种电子器件的制造方法，包括光阻图案形成方法和制造电子器件的电子器件制造方法，以及通过该电子器件制造方法制造的电子器件。
• ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE FILM THEREFROM AND METHOD OF FORMING PATTERN
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：EP2721446B1

  公开（公告）日：2017-11-22
• US9235116B2
  申请人：——

  公开号：US9235116B2

  公开（公告）日：2016-01-12
• US9285679B2
  申请人：——

  公开号：US9285679B2

  公开（公告）日：2016-03-15
• [EN] ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE FILM THEREFROM AND METHOD OF FORMING PATTERN<br/>[FR] COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À DES RAYONNEMENTS ACTINIQUES OU À UN RAYONNEMENT, FILM SENSIBLE À DES RAYONS ACTINIQUES OU À UN RAYONNEMENT À BASE DE CETTE COMPOSITION ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF
  申请人：FUJIFILM CORP

  公开号：WO2012173282A1

  公开（公告）日：2012-12-20

  According to one embodiment, an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition includes a compound (P) containing at least one phenolic hydroxyl group and at least one group with a phenolic hydroxyl group whose hydrogen atom is replaced by any of groups of general formula (1) below.