Photolysis of cyclotetrasilanes. Remarkable dependence on molecular structure
作者:Haruo Shizuka、Kazuyuki Murata、Yasushi Arai、Kenichi Tonokura、Hideaki Tanaka、Hideyuki Matsumoto、Yoichiro Nagai、Greg Gillette、Robert West
DOI:10.1039/f19898502369
日期:——
at 415 nm at 77 K. For the peralkylcyclotetrasilanes 3 and 4 having bent structures, photolysis occurs to give the corresponding silylene and cyclotrisilane at 293 K, but not in MP glass at 77 K. These photolyses originate from the excited singlet state (S1), judging from a rapid build-up of the transient absorption after pulsing. Transient peaks for diisopropylsilylene (S3) and t-butylmethylsilylene
环四硅烷的光解反应是通过在293 K的甲基环己烷(MCH)中进行激光闪光光解,以及在77 K的甲基环己烷-异戊烷(MP; 3:1,v / v)玻璃中进行稳态光解。关于环四硅烷的分子结构。平面的全甲硅烷基环四硅烷1和2生成相应的二硅酮(D1和D2),在293 K处的410 nm和77 K下的415 nm处具有吸收峰。对于全烷基环四硅烷3和4具有弯曲结构的光解会在293 K处发生光解,生成相应的亚甲硅烷基和环三硅烷,但在77 K的MP玻璃中则不会。这些光解作用源自激发单线态(S 1),这是由于瞬态吸收的快速建立而引起的跳动后。二异丙基甲硅烷基(S3)和叔丁基甲基甲硅烷基(S4)的瞬态峰分别在530和515 nm处观察到,寿命为38或50 ns。从其分子结构的角度讨论了环四硅烷的光化学反应。