由于其独特的磁性,二元
铁-
锗相在磁电、自旋电子或数据存储应用中是有前途的材料。以前制备 FexGey 薄膜和纳米结构的方案通常涉及恶劣的条件,并且在相组成和均匀性方面具有挑战性。在此,我们报告了 FexGey 薄膜的单源
化学气相沉积 (CVD) 的第一个例子。[Ge[Fe2(CO)8]2]、[Cl2GeFe(CO)4]2 和 Me2iPr2NHC∙GeCl2∙Fe(CO)4 的明显挥发性使其可以在标准 CVD 条件下用作前驱体 (Me2iPr2NHC = 1,3 -二异丙酰基-4,5-二甲基
咪唑-2-亚基)。通过TGA和粉末XRD对前驱体的热分解产物进行了表征。冷壁 CVD 反应器中的沉积实验产生了致密的 FexGey 薄膜。