含有反应性氧杂环丁烷基的吲哚并[3,2- b ]咔唑的衍生物使用1 H NMR,IR光谱和质谱进行了表征。使用包括差示扫描量热法,热重分析法,电子光发射光谱法和静电印刷飞行时间技术在内的各种技术对合成的材料进行了检查。衍生物层的电子发射光谱显示出5.2–5.45 eV的电离势。分散在聚合物主体双酚Z聚碳酸酯(50%)中的衍生物层中的空穴漂移迁移率范围为6.2×10 -6至6.9×10 -4 cm 2 V -1 s -1在室温下的高电场下。该化合物在以Alq 3为发射极的双层OLED中作为空穴传输材料进行了测试;包含苯基取代的吲哚并[3,2- b ]咔唑的器件表现出最佳的整体性能,开启电压约为5 V,最大亮度效率为3.64 cd A -1,最大亮度约为5700 cd m -2。该化合物还用于通过光致聚合制备交联的空穴传输层,随后的层用于发光二极管中。