η-oxy-n-octylamine | 33157-19-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: η-oxy-n-octylamine
• 英文别名: Methyl-(ξ-amino-n-hexyl)-carbinol；8-Aminooctan-2-ol
• CAS: 33157-19-6
• 化学式: C₈H₁₉NO
• mdl: MFCD19208926
• 分子量: 145.245
• InChiKey: QWHRKDSRMLBCPO-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  226.4±23.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.895±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  46.2
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  盐酸 、 η-oxy-n-octylamine 生成 7-chloro-octylamine
  参考文献：
  名称：

  Gabriel, Chemische Berichte, 1910, vol. 43, p. 358

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  8-amino-octan-2-one 在 乙醇 、 sodium 作用下， 生成 η-oxy-n-octylamine
  参考文献：
  名称：

  Gabriel, Chemische Berichte, 1910, vol. 43, p. 358

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Antithrombotic pharmaceutical preparation containing 2,2'-dithiobis benzamide derivatives and new 2,2'-dithiobis benzamide derivatives
  申请人：KYOWA HAKKO KOGYO CO., LTD

  公开号：EP0006227B1

  公开（公告）日：1984-12-27
• Novel benzamide derivatives
  申请人：KYOWA HAKKO KOGYO CO., LTD

  公开号：EP0062827B1

  公开（公告）日：1986-07-23
• DYNAMIC MULTI-PURPOSE COMPOSITION FOR THE REMOVAL OF PHOTORESISTS AND METHOD FOR ITS USE
  申请人：Dynaloy, LLC

  公开号：EP1941018A2

  公开（公告）日：2008-07-09
• [EN] DYNAMIC MULTI-PURPOSE COMPOSITION FOR THE REMOVAL OF PHOTORESISTS AND METHOD FOR ITS USE<br/>[FR] COMPOSITION DYNAMIQUE POLYVALENTE D'ELIMINATION DE RESERVE ET SON PROCEDE D'UTILISATION
  申请人：DYNALOY LLC

  公开号：WO2007053363A2

  公开（公告）日：2007-05-10

  [EN] Improved dry stripper solutions for removing one, two or more photoresist layers from substrates are provided. The stripper solutions comprise dimethyl sulfoxide, a quaternary ammonium hydroxide, and an alkanolamine, an optional secondary solvent and less than about 3 wt.% water and/or a dryness coefficient of at least about 1. Methods for the preparation and use of the improved dry stripping solutions are additionally provided.
  [FR] L'invention porte sur des solutions de décapant améliorées pouvant éliminer une ou plusieurs couches de réserve d'un substrat. Lesdites solutions comprennent: du diméthyl sulfoxyde, un hydroxyde d'ammonium quaternaire, une alcanoamine, facultativement un deuxième solvant, et moins d'environ 3 % en poids d'eau, et présentant un indice de siccité d'au moins environ 1. L'invention porte également sur leur procédé de préparation et d'utilisation.
• [EN] DYNAMIC MULTI-PURPOSE COMPOSITION FOR THE REMOVAL OF PHOTORESISTS<br/>[FR] COMPOSITION POLYVALENTE DYNAMIQUE POUR L'ÉLIMINATION DE PHOTORÉSISTS ET SON PROCÉDÉ D'UTILISATION
  申请人：DYNALOY LLC

  公开号：WO2008051627A1

  公开（公告）日：2008-05-02

  [EN] Improved dry stripper solutions for removing one, two or more photoresist layers from substrates are provided. The stripper solutions comprise dimethyl sulfoxide, a quaternary ammonium hydroxide, and an alkanolamine, an optional secondary solvent and less than about 3 wt.% water and/or a dryness coefficient of at least about 1. Methods for the preparation and use of the improved dry stripping solutions are additionally provided. Advantageous solution methods are provided for the use of the novel stripper solutions to prepare an electronic interconnect structure by removing a plurality of resist layers to expose an underlying dielectric and related substrate without imparting damage to any of the underlying structure.
  [FR] L'invention concerne des solutions améliorées de décapant sec destinées à éliminer une ou plusieurs couches de photorésist de substrats. Les solutions de décapant comprennent du diméthyle sulfoxyde, un hydroxyde d'ammonium quaternaire et une alcanolamine, un éventuel solvant secondaire et une quantité inférieure à environ 3 % en poids d'eau et/ou ont un coefficient de siccité supérieur ou égal à environ 1. L'invention concerne également des procédés de préparation et d'utilisation des solutions améliorées de décapant sec. L'invention concerne des procédés avantageux d'utilisation en solution des nouvelles solutions de décapant pour préparer une structure d'interconnexion électronique en éliminant une pluralité de couches de résist pour exposer un substrat diélectrique sous-jacent sans endommager aucune partie de la structure sous-jacente.