Ethoxymethylcyclohexane | 14315-62-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: Ethoxymethylcyclohexane
• CAS: 14315-62-9
• 化学式: C₉H₁₈O
• 分子量: 142.241
• InChiKey: OSTREZKEFIGOHW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.8
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  环己甲酸乙酯 在 ammonia borane 、 四氯化钛 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 以82 %的产率得到Ethoxymethylcyclohexane
  参考文献：
  名称：

  用硼烷-氨将酯脱氧还原为醚或醇，取决于催化剂和化学计量

  摘要：

  通过调节还原剂 BH 3 –NH 3和催化剂 TiCl 4的化学计量，实现了芳香族和脂肪族羧酸酯在室温下轻松且选择性地脱氧为醚。这是第一个实用的硼烷介导的过程，与各种潜在敏感的官能团相容，并且适用于从通常具有挑战性的芳香酸酯中形成脱氧醚。替代BF 3 –Et 2 O作为催化剂改变反应途径，将酯还原为醇。核磁共振波谱、氘标记和动力学同位素研究提供了机理见解。

  DOI：

  10.1021/acs.orglett.3c02643

文献信息

• A Versatile Iridium(III) Metallacycle Catalyst for the Effective Hydrosilylation of Carbonyl and Carboxylic Acid Derivatives
  作者：Yann Corre、Vincent Rysak、Xavier Trivelli、Francine Agbossou-Niedercorn、Christophe Michon

  DOI：10.1002/ejoc.201700801

  日期：2017.9.1

  IrIII metallacycle rapidly and selectively catalyses the reduction of various esters, carboxylic acids, ketones, and aldehydes. The reactions proceed in high yields at room temperature by hydrosilylation followed by desilylation. Depending on the substrate, esters are reduced to alcohols or ethers and carboxylic acids to alcohols or aldehydes.

  通用的Ir III金属环可快速，选择性地催化各种酯，羧酸，酮和醛的还原。该反应在室温下通过氢化硅烷化然后脱甲硅烷基化以高收率进行。取决于底物，酯被还原为醇或醚，而羧酸被还原为醇或醛。
• BASIC COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Hatakeyama Jun

  公开号：US20120141938A1

  公开（公告）日：2012-06-07

  A chemically amplified resist composition comprising a base polymer, an acid generator, and an amine quencher in the form of a β-alanine, γ-aminobutyric acid or 5-aminovaleric acid derivative having an acid labile group-substituted carboxyl group has a high contrast of alkaline dissolution rate before and after exposure and forms a pattern of good profile at a high resolution, minimal roughness and wide focus margin.

  一种化学放大型光刻胶组合物，包括基础聚合物、酸发生剂和胺淬灭剂，后者为β-丙氨酸、γ-氨基丁酸或5-氨基戊酸的衍生物，具有一个被酸不稳定基团所取代的羧基，这种组合物在曝光前后具有高对比度的碱性溶解速率，并且能够形成高分辨率、最小粗糙度和宽焦深度的良好图案轮廓。
• HEMIACETAL COMPOUND, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20160238930A1

  公开（公告）日：2016-08-18

  A polymer for resist use is obtainable from a hemiacetal compound having formula (1 a ) wherein R 1 is H, CH 3 or CF 3 , R 2 to R 4 each are H or a monovalent hydrocarbon group, X 1 is a divalent hydrocarbon group, ZZ designates a non-aromatic mono- or polycyclic ring of 4 to 20 carbon atoms having a hemiacetal structure, k 1 =0 or 1, and k 2 =0 to 3. A resist composition comprising the polymer displays controlled acid diffusion and low roughness during both positive and negative tone developments.

  从具有以下式（1a）的半缩醛化合物获得用于抗蚀的聚合物，其中R1为H、CH3或CF3，R2至R4分别为H或单价碳氢基团，X1为二价碳氢基团，ZZ表示具有半缩醛结构的非芳香性4至20个碳原子的单环或多环环，k1=0或1，k2=0至3。包含该聚合物的抗蚀组合物显示出在正片和负片显影过程中控制酸扩散和低粗糙度。
• COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND PATTERN FORMATION METHOD
  申请人：MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.

  公开号：US20200249573A1

  公开（公告）日：2020-08-06

  The present invention provides a composition for resist underlayer film formation comprising a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin.

  本发明提供了一种用于抗蚀底层膜形成的组合物，其包括含碲化合物或含碲树脂。
• MONOMER, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20140045123A1

  公开（公告）日：2014-02-13

  A polymer comprising recurring units derived from a (meth)acrylate monomer of tertiary ester type having branched alkyl on alicycle is used to form a resist composition. When subjected to exposure, PEB and organic solvent development, the resist composition is improved in dissolution contrast.

  一种聚合物，包括由具有支链烷基的萜酸酯单体衍生的重复单元，用于形成抗蚀组合物。在经过曝光、PEB和有机溶剂显影处理后，抗蚀组合物在溶解对比度方面得到改善。