N,N-di-n-butylanthranilic acid | 315179-48-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: N,N-di-n-butylanthranilic acid
• 英文别名: 2-di-n-butylaminobenzoic acid；2-(Dibutylamino)benzoic acid
• CAS: 315179-48-7
• 化学式: C₁₅H₂₃NO₂
• mdl: MFCD11542409
• 分子量: 249.353
• InChiKey: HJQRVEKFTJNBLO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.1
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.533
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N-di-n-butylanthranilic acid 在 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 12.5h， 生成 (1R,2R)-N-{2-[2-(di-n-butylamino)benzoylamino]cyclohexyl}-2-(diphenylphospanyl)benzamide
  参考文献：
  名称：

  具有反式1,2-二氨基环己烷主链的新型杂合配体：钯催化的对映选择性烯丙基烷基化反应中的竞争螯合模式

  摘要：

  从（1R，2R）-2-氨基环己基氨基甲酸叔丁酯（4）合成了三个具有反式1,2-二氨基环己烷骨架的新杂配体，该酯是通过对二胺的间接单保护而制备的。配体是（1R，2R）-N-2- [2-（二甲基氨基）苯甲酰基]氨基环己基-2-（二苯基磷基苯甲基）苯甲酰胺及其二正丁基氨基和二苯基氨基衍生物（3a-c），在金属螯合中可能具有较大的咬合角，从而形成正式的P，N型螯合物。为了评估针对已知的P，N-和P，P-螯合物（1和2）的新型杂合配体，将它们用于钯催化的两种标准外消旋烯丙基乙酸酯2-乙酰氧基-1,3之间的烯丙基烷基化反应。 -二苯基-2-丙烯（14a）和2-乙酰氧基-1、3-二甲基-2-丙烯（14b）和丙二酸二甲酯在不同的反应条件下。具有新配体的催化体系对具有适度对映选择性的两种底物均表现出良好的反应性（对14a的ee高达78％ee，对14b的ee高达80％）。特别值得注意的是，根据配体和反应条件，

  DOI：

  10.1021/jo000821m
• 作为产物：
  描述：

  邻氨基苯甲酸 、 正丁醛 在 palladium on activated charcoal 氢气 作用下， 以 水 、 溶剂黄146 为溶剂， 100.0 ℃ 、689.49 kPa 条件下， 以25%的产率得到N,N-di-n-butylanthranilic acid
  参考文献：
  名称：

  具有反式1,2-二氨基环己烷主链的新型杂合配体：钯催化的对映选择性烯丙基烷基化反应中的竞争螯合模式

  摘要：

  从（1R，2R）-2-氨基环己基氨基甲酸叔丁酯（4）合成了三个具有反式1,2-二氨基环己烷骨架的新杂配体，该酯是通过对二胺的间接单保护而制备的。配体是（1R，2R）-N-2- [2-（二甲基氨基）苯甲酰基]氨基环己基-2-（二苯基磷基苯甲基）苯甲酰胺及其二正丁基氨基和二苯基氨基衍生物（3a-c），在金属螯合中可能具有较大的咬合角，从而形成正式的P，N型螯合物。为了评估针对已知的P，N-和P，P-螯合物（1和2）的新型杂合配体，将它们用于钯催化的两种标准外消旋烯丙基乙酸酯2-乙酰氧基-1,3之间的烯丙基烷基化反应。 -二苯基-2-丙烯（14a）和2-乙酰氧基-1、3-二甲基-2-丙烯（14b）和丙二酸二甲酯在不同的反应条件下。具有新配体的催化体系对具有适度对映选择性的两种底物均表现出良好的反应性（对14a的ee高达78％ee，对14b的ee高达80％）。特别值得注意的是，根据配体和反应条件，

  DOI：

  10.1021/jo000821m

文献信息

• Negative resist composition and resist pattern forming process
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US10120279B2

  公开（公告）日：2018-11-06

  A negative resist composition comprising (A) a sulfonium compound of betaine type and (B) a polymer is provided. The resist composition is effective for controlling acid diffusion during the exposure step, exhibits a very high resolution during pattern formation, and forms a pattern with minimal LER.

  提供一种负性抗蚀组合物，包括（A）一种甜菜碱型的砜化合物和（B）一种聚合物。该抗蚀组合物在曝光步骤期间有效控制酸扩散，在图案形成期间具有非常高的分辨率，并形成具有最小LER的图案。
• Positive resist composition, resist pattern forming process, and photomask blank
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US10416558B2

  公开（公告）日：2019-09-17

  A positive resist composition comprising a polymer adapted to be decomposed under the action of acid to increase its solubility in alkaline developer and a sulfonium compound of specific structure has a high resolution. When the resist composition is processed by lithography, a pattern with minimal LER can be formed.

  一种正性抗蚀组合物包括一种聚合物，适应在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性，以及一种具有特定结构的砜化合物，具有高分辨率。当这种抗蚀组合物经过光刻处理时，可以形成具有最小LER的图案。
• Direct Access to Anthranilic Acid Derivatives via CO₂ Incorporation Reaction Using Arynes
  作者：Hiroto Yoshida、Takami Morishita、Joji Ohshita

  DOI：10.1021/ol801588s

  日期：2008.9.1

  CO2 was found to be directly convertible into anthranilic acid derivatives of great synthetic value through a three-component coupling using arynes and amines. Zwitterions arising from nucleophilic attack of amines to arynes serve as key intermediates in the coupling.

  发现通过使用芳烃和胺的三组分偶联，CO2可直接转化为具有巨大合成价值的邻氨基苯甲酸衍生物。胺对芳烃的亲核攻击产生的两性离子是偶联中的关键中间体。
• Chemically Amplified Positive Resist Composition and Resist Pattern Forming Process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20180180992A1

  公开（公告）日：2018-06-28

  A positive resist composition comprising a polymer adapted to be decomposed under the action of acid to increase its solubility in alkaline developer and a sulfonium compound of formula (A) has a high resolution. When the resist composition is processed by lithography, a pattern with minimal LER can be formed.

  一种正性光刻胶组合物，包括一种聚合物，该聚合物适于在酸的作用下分解，以增加其在碱性显影剂中的溶解度，以及一种化学式（A）的磺化物化合物，具有高分辨率。当使用光刻技术处理光刻胶组合物时，可以形成最小LER的图案。
• CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20180180998A1

  公开（公告）日：2018-06-28

  A negative resist composition comprising a sulfonium compound having formula (A) and a base polymer is provided. The resist composition exhibits a high resolution during pattern formation and forms a pattern with minimal LER.

  提供一种负型光刻胶组合物，包括具有公式(A)的磺化物化合物和基础聚合物。该光刻胶组合物在图案形成期间表现出高分辨率，并形成具有最小LER的图案。