1-decyl-3-fluorobenzene | 28593-21-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 1-decyl-3-fluorobenzene
• 英文别名: m-Fluordecylbenzol
• CAS: 28593-21-7
• 化学式: C₁₆H₂₅F
• 分子量: 236.373
• InChiKey: YCZPRWGQHZHAIU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.2
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.62
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-decyl-3-fluorobenzene 在 四(三苯基膦)钯 、 仲丁基锂 、 三溴化硼 、 sodium carbonate 、 potassium carbonate 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 二氯甲烷 、 环己烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 133.0h， 生成 3,10-didecyldibenzo[d,d’]naphtho[2,3-b:6,7-b’]difuran
  参考文献：
  名称：

  π-扩展的氧杂苯的合成及其在有机场效应晶体管中的应用

  摘要：

  在过去的几十年中，已经开发出多种杂并苯作为有前途的有机场效应晶体管 (OFET) 的有机半导体材料。然而，直到最近，呋喃熔融物在文献中还很少见。这里我们展示了二苯并[ d , d ']naphtho[2,3- b :6,7- b的合成']二呋喃 (DBNDF) 及其作为 OFET 有源层的应用。成功合成了未取代和双癸基取代的 DBNDF。通过热重分析、差示扫描量热法、UV/Vis 吸收和光致发光光谱以及理论计算来检查热和光物理特性。其薄膜的面外 X 射线衍射测量和原子力显微镜显示，DBNDF π 核排列成其长轴垂直于基板。OFET 器件采用 DBNDF 作为有源层制造，表现出典型的 p 型传输特性。特别是，基于双癸基取代的 DBNDF 的 OFET 器件的空穴迁移率高达 0.62 cm 2⋅V -1⋅s -1。

  DOI：

  10.1016/j.orgel.2021.106335
• 作为产物：
  描述：

  邻溴氟苯 、 Decylmagnesium bromide 在 1,3-bis[(diphenylphosphino)propane]dichloronickel(II) 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 20.5h， 以26%的产率得到1-decyl-3-fluorobenzene
  参考文献：
  名称：

  π-扩展的氧杂苯的合成及其在有机场效应晶体管中的应用

  摘要：

  在过去的几十年中，已经开发出多种杂并苯作为有前途的有机场效应晶体管 (OFET) 的有机半导体材料。然而，直到最近，呋喃熔融物在文献中还很少见。这里我们展示了二苯并[ d , d ']naphtho[2,3- b :6,7- b的合成']二呋喃 (DBNDF) 及其作为 OFET 有源层的应用。成功合成了未取代和双癸基取代的 DBNDF。通过热重分析、差示扫描量热法、UV/Vis 吸收和光致发光光谱以及理论计算来检查热和光物理特性。其薄膜的面外 X 射线衍射测量和原子力显微镜显示，DBNDF π 核排列成其长轴垂直于基板。OFET 器件采用 DBNDF 作为有源层制造，表现出典型的 p 型传输特性。特别是，基于双癸基取代的 DBNDF 的 OFET 器件的空穴迁移率高达 0.62 cm 2⋅V -1⋅s -1。

  DOI：

  10.1016/j.orgel.2021.106335

文献信息

• Synthesis of π-extended oxacenes and their application to organic field-effect transistors
  作者：Chikara Hayasaka、Shusaku Nagano、Koji Nakano

  DOI：10.1016/j.orgel.2021.106335

  日期：2022.1

  A variety of heteroacenes have been developed in the last decades as promising organic semiconducting materials for organic field effect transistors (OFETs). However, furan-fused ones have been rarely seen in literatures until very recently. Here we demonstrate the synthesis of dibenzo[d,d']naphtho[2,3-b:6,7-b']difurans (DBNDFs) and their application as the active layers for OFETs. Unsubstituted and

  在过去的几十年中，已经开发出多种杂并苯作为有前途的有机场效应晶体管 (OFET) 的有机半导体材料。然而，直到最近，呋喃熔融物在文献中还很少见。这里我们展示了二苯并[ d , d ']naphtho[2,3- b :6,7- b的合成']二呋喃 (DBNDF) 及其作为 OFET 有源层的应用。成功合成了未取代和双癸基取代的 DBNDF。通过热重分析、差示扫描量热法、UV/Vis 吸收和光致发光光谱以及理论计算来检查热和光物理特性。其薄膜的面外 X 射线衍射测量和原子力显微镜显示，DBNDF π 核排列成其长轴垂直于基板。OFET 器件采用 DBNDF 作为有源层制造，表现出典型的 p 型传输特性。特别是，基于双癸基取代的 DBNDF 的 OFET 器件的空穴迁移率高达 0.62 cm 2⋅V -1⋅s -1。