2-methyl-heptane-3,5-dione | 7424-53-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2-methyl-heptane-3,5-dione
• 英文别名: 2-Methyl-heptan-3,5-dion；2-methyl-3,5-heptanedione；2-Methylheptane-3,5-dione
• CAS: 7424-53-5
• 化学式: C₈H₁₄O₂
• 分子量: 142.198
• InChiKey: VVALZQWOQKHDIM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.3
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.75
• 拓扑面积：
  34.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-methyl-heptane-3,5-dione 生成 3-Isopropyl-4-(4-methylisoxazol-5-yl)-5-(methylthio)-thiophene-2-carboxamide
  参考文献：
  名称：

  Substituted isoxazolylthiophene compounds

  摘要：

  这项发明提供了一种被代表为式的取代异噁唑基硫代苯并化合物，其中R1和R2分别表示1-5个碳原子的烷基基团，R3表示氰基或CONR5R6基团（其中R5和R6分别表示氢原子或1-10个碳原子的烷基基团），R4表示1-5个碳原子的烷基基团或苯基，n是0-2的整数，或其盐。该发明的化合物可用于治疗或预防各种骨疾病或神经疾病，因为它们特异性地增强了存在于生物体中的细胞分化诱导因子的作用。

  公开号：

  US06355663B1
• 作为产物：
  描述：

  2-methyl-heptane-3,5-dione 3-enol tautomer 生成 2-methyl-heptane-3,5-dione
  参考文献：
  名称：

  Effect of Substituents on the Keto-Enol Equilibrium of Alkyl-substituted β-Diketones

  摘要：

  DOI：

  10.1246/bcsj.46.632

文献信息

• COBALT COMPLEX, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING COBALT-CONTAINING THIN FILM
  申请人：TOSOH CORPORATION

  公开号：US20220017553A1

  公开（公告）日：2022-01-20

  To provide a cobalt complex which is liquid at room temperature, useful for producing a cobalt-containing thin film under conditions without using an oxidizing gas. A cobalt complex represented by the following formula (1): L 1 -Co-L 2 (1) wherein L 1 and L 2 represent a unidentate amide ligand of the following formula (A), a bidentate amide ligand of the following formula (B) or a hetero atom-containing ligand of the following formula (C): wherein R 1 and R 2 represent a C 1-6 alkyl group or a tri(C 1-6 alkyl)silyl group, and the wave line represents a binding site to the cobalt atom; wherein R 3 represents a tri(C 1-6 alkyl)silyl group, R 4 and R 5 represent a C 1-4 alkyl group, and X represents a C 1-6 alkylene group; wherein R 6 and R 8 represent a C 1-6 alkyl group, R 7 represents a hydrogen atom or a C 1-4 alkyl group, Y represents an oxygen atom or NR 9 , Z represents an oxygen atom or NR 10 , and R 9 and R 10 independently represent a C 1-6 alkyl group.

  提供一种在室温下为液体的钴配合物，可用于在不使用氧化气体的条件下制备含钴薄膜。 由以下式（1）表示的钴配合物： L1-Co-L2（1） 其中L1和L2表示以下式（A）的单齿酰胺配体，以下式（B）的双齿酰胺配体或以下式（C）的含杂原子配体： 其中R1和R2表示C1-6烷基或三(C1-6烷基)硅基团，波浪线表示与钴原子的结合位点； 其中R3表示三(C1-6烷基)硅基团，R4和R5表示C1-4烷基，X表示C1-6亚烷基团； 其中R6和R8表示C1-6烷基，R7表示氢原子或C1-4烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9和R10独立表示C1-6烷基。
• METAL ALKOXIDE COMPOUND, THIN-FILM-FORMING MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THIN FILM, AND ALCOHOL COMPOUND
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：US20150175642A1

  公开（公告）日：2015-06-25

  Disclosed is a metal alkoxide compound having physical properties suitable for a material for forming thin films by CVD, and particularly, a metal alkoxide compound having physical properties suitable for a material for forming metallic-copper thin films. A metal alkoxide compound is represented by general formula (I). A thin-film-forming material including the metal alkoxide compound is described as well. (In the formula, R 1 represents a methyl group or an ethyl group, R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 3 represents a C 1-3 linear or branched alkyl group, M represents a metal atom or a silicon atom, and n represents the valence of the metal atom or silicon atom.

  揭示了一种具有适合用于CVD形成薄膜材料的物理性质的金属烷氧化物化合物，特别是一种具有适合用于形成金属铜薄膜材料的金属烷氧化物化合物。金属烷氧化物化合物由通式（I）表示。还描述了包括金属烷氧化物化合物的薄膜形成材料。（在公式中，R1代表甲基基团或乙基基团，R2代表氢原子或甲基基团，R3代表C1-3直链或支链烷基基团，M代表金属原子或硅原子，n代表金属原子或硅原子的价。
• ORGANOMETALLIC COMPOUND AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME
  申请人：SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

  公开号：US20210388010A1

  公开（公告）日：2021-12-16

  An organometallic compound and a method of manufacturing an integrated circuit (IC) device, the organometallic compound being represented by Formula (I),

  一种有机金属化合物和一种制造集成电路（IC）器件的方法，该有机金属化合物由式（I）表示，
• ALUMINUM COMPOUND AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US20200207790A1

  公开（公告）日：2020-07-02

  Provided are an aluminum compound and a method for manufacturing a semiconductor device using the same. The aluminum compound may be represented by Formula 1.

  提供了一种铝化合物以及使用它制造半导体器件的方法。该铝化合物可用公式1表示。
• Method For Producing Pyrimidinylpyrazole Compounds
  申请人：Fukunishi Hirotada

  公开号：US20120283441A1

  公开（公告）日：2012-11-08

  The present invention provides a method for producing a pyrimidinylpyrazole compound (1), wherein aminoguanidine (2) or its salt is reacted with a β-diketone compound (3) to produce the pyrimidinylpyrazole compound: wherein R 1 and R 3 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The method is excellent in the environmental compatibility and economic efficiency.

  本发明提供了一种生产嘧啶基吡唑化合物（1）的方法，其中氨基胍（2）或其盐与β-二酮化合物（3）反应，以产生嘧啶基吡唑化合物：其中R1和R3分别独立地是具有1至4个碳原子的烷基基团，而R2是氢原子或具有1至4个碳原子的烷基基团。该方法在环境兼容性和经济效益方面表现出色。