3,6-dihydroxy-9-hydrocarbazole | 15773-73-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吲哚及其衍生物
• 英文名称: 3,6-dihydroxy-9-hydrocarbazole
• 英文别名: 3,6-dihydroxy-9H-carbazole；3,6-Dihydroxy-carbazol；3,6-(OH)2-Carbazol；9H-Carbazole-3,6-diol
• CAS: 15773-73-6
• 化学式: C₁₂H₉NO₂
• mdl: MFCD18450165
• 分子量: 199.209
• InChiKey: ALRIQQOJLRLCMU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.7
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  56.2
• 氢给体数：
  3
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3,6-dihydroxy-9-hydrocarbazole 、 9-(6-溴已基)-9H-咔唑 在 potassium carbonate 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 生成 CZ-O-2CZ
  参考文献：
  名称：

  通过树突分子工程对电复合物发射的空间调控

  摘要：

  电复合物是激发复合物的对应物，主要发生在电场中，并一直吸引着研究人员的注意力，探索和研究其在电致发光器件中的性质和应用。在这项工作中，我们设计了一种使用树枝状分子工程控制电复合物发射的有效方法。增加外围烷基链咔唑基团不仅可以有效抑制电子体的形成，还可以调节供体和受体分子之间的距离。因此，它为研究激基复合物和电复合物的形成机制提供了一种有效的策略。树突分子工程。值得注意的是，当与 PhPO 混合时，TCTA-O-CZ 和 TCTA-O-2CZ 表现出不同的光物理和电致发光特性。TCTA-O-CZ:PhPO 混合物在 450 nm 处表现出新的光致发光 (PL) 发射峰和在 480 nm 处的电致发光 (EL) 发射峰，分别对应于激基复合物和电复合物发射。然而，TCTA-O-2CZ 在电激发下仅显示 480 nm 处的电复合物发射，这表明电复合物具有长程电荷转移过程。此外，长波长处的电子发射峰

  DOI：

  10.1039/d1tc02167b

文献信息

• 一种可溶液加工的热激活延迟荧光材料及其 制备方法
  申请人：东南大学

  公开号：CN108586318B

  公开（公告）日：2020-09-18

  本发明公开了一种可溶液加工的热激活延迟荧光材料及其制备方法。该类分子结构由两部分组成，一部分是具有热激活延迟荧光性质的核，另一部分是通过烷基链连接具有高三线态能级的基团，具有如式I所示结构，式I，其中，R1,R2中最多有一个是氢，其余均为通过烷基链连接的具有高三线态能级的基团。该新型材料的优势：外围支链的空间位阻效应能有效降低三线态激子的浓度淬灭，提高发光器件的性能；烷基链的引入能够有效的增强材料溶解性和成膜性。结果表明：这类可溶液加工的热激活延迟荧光材料具有较大的分子量，良好的成膜性能，适用于湿法制备有机电致发光器件。且随着外围支链的增多，器件性能得到较大的提高。
• 一种可溶液加工的热激活延迟荧光材料及其制法和应用
  申请人：东南大学

  公开号：CN111777542A

  公开（公告）日：2020-10-16

  本发明公开了一种可溶液加工的热激活延迟荧光材料及其制法和应用，该可溶液加工的热激活延迟荧光材料包含一种分子结构，该分子结构由两部分组成，一部分是具有热激活延迟荧光性质的核，另一部分是具有高三线态能级的结构，其中，R1、R2中最多有一个是氢，其余均为通过苯环和氧连接，并且氧连接具有高三线态能级的结构。该新型材料具有较大优势，外围支链的空间位阻效应能有效降低三线态激子的浓度淬灭，提高发光器件的性能；苯环的引入能够有效的增强材料溶解性和成膜性。这类可溶液加工的热激活延迟荧光材料具有较大的分子量，良好的成膜性能，适用于湿法制备有机电致发光器件。且随着外围支链的增多，器件性能得到较大的提高。
• RESIST OVERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US20150248057A1

  公开（公告）日：2015-09-03

  A resist overlayer film forming composition that is used for a lithography process for manufacturing semiconductor devices, and selectively transmits EUV only, in particular, by blocking exposure light undesirable for EUV exposure, such as UV and DUV, without intermixing with a resist, and that can be developed with a developing solution after exposure. A resist overlayer film forming composition including: a hydroxyl group-containing novolac-based polymer containing a structure of (Formula 1-1): (in (Formula 1-1), Ar 1 is a divalent organic group that contains 1 to 3 benzene ring(s) and optionally contains a hydroxy group; Ar 2 is a benzene ring group, a naphthalene ring group, or an anthracene ring group; each of the hydroxy group and R 1 is a substituent for a hydrogen atom on a ring of Ar 2 ); and a solvent.
• US3932424A
  申请人：——

  公开号：US3932424A

  公开（公告）日：1976-01-13
• US9494864B2
  申请人：——

  公开号：US9494864B2

  公开（公告）日：2016-11-15