Ethyl 2-[dimethyl(propan-2-yloxy)silyl]-4-trimethylsilylpent-4-enoate | 172913-49-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 脂肪酰基
• 英文名称: Ethyl 2-[dimethyl(propan-2-yloxy)silyl]-4-trimethylsilylpent-4-enoate
• CAS: 172913-49-4
• 化学式: C₁₅H₃₂O₃Si₂
• 分子量: 316.588
• InChiKey: MUHPIHSMRVGFFI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.37
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  35.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Ethyl 2-[dimethyl(propan-2-yloxy)silyl]-4-trimethylsilylpent-4-enoate 在 potassium fluoride 、 lithium aluminium tetrahydride 、 双氧水 、 potassium hydrogencarbonate 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲醇 、 乙醚 为溶剂， 反应 15.17h， 生成 4-(trimethylsilyl)pent-4-ene-1,2-diol
  参考文献：
  名称：

  Radical allylation of α-silylacetic esters

  摘要：

  Allylation of the radical generated from alpha-silyl-alpha-phenylselenoacetic esters with various allyltributyltin substrates led to good yields of the corresponding homoallylsilanes. A study on the nature of the radical thus generated was performed using comparative allylation rates with electronically different allyltributyltin compounds. Finally, these homoallylsilanes were converted into the corresponding homoallylic-1,2-diols after reduction of the ester function and oxidation of the C-Si bond.

  DOI：

  10.1016/0040-4020(95)00764-y
• 作为产物：
  描述：

  Ethyl 2-[dimethyl(propan-2-yloxy)silyl]acetate 在 正丁基锂 、 偶氮二异丁腈 、 六甲基二硅氮烷 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 苯 为溶剂， 反应 2.5h， 生成 Ethyl 2-[dimethyl(propan-2-yloxy)silyl]-4-trimethylsilylpent-4-enoate
  参考文献：
  名称：

  Radical allylation of α-silylacetic esters

  摘要：

  Allylation of the radical generated from alpha-silyl-alpha-phenylselenoacetic esters with various allyltributyltin substrates led to good yields of the corresponding homoallylsilanes. A study on the nature of the radical thus generated was performed using comparative allylation rates with electronically different allyltributyltin compounds. Finally, these homoallylsilanes were converted into the corresponding homoallylic-1,2-diols after reduction of the ester function and oxidation of the C-Si bond.

  DOI：

  10.1016/0040-4020(95)00764-y