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2-(5-bromothiophen-2-yl)-5-butyl-5H-thieno[3,2-c]pyrrole-4,6-dione | 1350462-26-8

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-(5-bromothiophen-2-yl)-5-butyl-5H-thieno[3,2-c]pyrrole-4,6-dione
英文别名
2-(5-Bromothiophen-2-yl)-5-butylthieno[2,3-c]pyrrole-4,6-dione;2-(5-bromothiophen-2-yl)-5-butylthieno[2,3-c]pyrrole-4,6-dione
2-(5-bromothiophen-2-yl)-5-butyl-5H-thieno[3,2-c]pyrrole-4,6-dione化学式
CAS
1350462-26-8
化学式
C14H12BrNO2S2
mdl
——
分子量
370.291
InChiKey
LYRUWQVAVMUEBE-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.6
  • 重原子数:
    20
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.29
  • 拓扑面积:
    93.9
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

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  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
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文献信息

  • [EN] ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL<br/>[FR] MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
    申请人:E T C SRL
    公开号:WO2012156948A1
    公开(公告)日:2012-11-22
    The present invention relates to a novel compounds useful as organic semiconductor material, and semiconductor devices containing said organic semiconductor material.
    本发明涉及一种作为有机半导体材料有用的新化合物,以及含有该有机半导体材料的半导体器件。
  • ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL
    申请人:Melucci Manuela
    公开号:US20140217374A1
    公开(公告)日:2014-08-07
    Novel compounds useful as organic semiconductor material are described. Semiconductor devices containing said organic semiconductor material are also described.
    本文描述了一种有用的有机半导体材料的新化合物。同时还描述了含有该有机半导体材料的半导体器件。
  • US9761810B2
    申请人:——
    公开号:US9761810B2
    公开(公告)日:2017-09-12
  • Thienopyrrolyl dione end-capped oligothiophene ambipolar semiconductors for thin film- and light emitting transistors
    作者:Manuela Melucci、Massimo Zambianchi、Laura Favaretto、Massimo Gazzano、Alberto Zanelli、Magda Monari、Raffaella Capelli、Stefano Troisi、Stefano Toffanin、Michele Muccini
    DOI:10.1039/c1cc14179a
    日期:——
    The design, synthesis and structure–property investigation of a new thienopyrrolyl dione substituted oligothiophene material showing reduced band gap energy, low lying LUMO energy level and ambipolar semiconducting behaviour is described.
    描述了一种新的噻吩吡咯二酮取代的寡噻吩材料的设计、合成及其结构-性能研究,该材料具有较低的带隙能量、较低的LUMO能级和双极半导体行为。
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