Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Verbindungen der allgemeinen Formel (I),
worin
neine ganze Zahl von 2 bis 5 ist,
R1für H oder eine gegebenenfalls durch ein oder mehrere O- oder S-Atome, Silylen-, Phosphonoyl- oder Phosphorylgruppen unterbrochene C1-C20-Alkylgruppe steht und
Arfür gegebenenfalls substituiertes 1,4-Phenylen, 2,7-Fluoren oder 2,5-Thiophen steht, wobei Ar gleich oder verschieden sein kann,
halbleitende Schichten aus diesen Verbindungen sowie deren Verwendung in der Halbleitertechnik.
本发明涉及通式(I)化合物的制备工艺、
其中
n 是 2 至 5 的整数、
R1 代表 H 或任选被一个或多个 O 或 S 原子、
硅烷基、膦酰基或
磷酰基打断的 C1-C20 烷基,以及
Ar 代表任选取代的 1,4-亚苯基、2,7-
芴或 2,5-
噻吩,其中 Ar 可以相同或不同、
这些化合物的半导体层及其在半导体技术中的应用。