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1-(4-Cyclohexylphenyl)-2-methyl-2-(1-methylthiolan-1-yl)propan-1-one

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
1-(4-Cyclohexylphenyl)-2-methyl-2-(1-methylthiolan-1-yl)propan-1-one
英文别名
1-(4-cyclohexylphenyl)-2-methyl-2-(1-methylthiolan-1-yl)propan-1-one
1-(4-Cyclohexylphenyl)-2-methyl-2-(1-methylthiolan-1-yl)propan-1-one化学式
CAS
——
化学式
C21H32OS
mdl
——
分子量
332.5
InChiKey
MZABBLRIRBNKCJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.9
  • 重原子数:
    23
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.67
  • 拓扑面积:
    18.1
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

文献信息

  • POSITIVE RESIST COMPOSITION, RESIN USED FOR THE POSITIVE RESIST COMPOSITION, COMPOUND USED FOR SYNTHESIS OF THE RESIN AND PATTERN FORMING METHOD USING THE POSITIVE RESIST COMPOSITION
    申请人:FUJIFILM Corporation
    公开号:EP3537217A2
    公开(公告)日:2019-09-11
    A positive resist composition comprises: (A) a resin of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (C) a resin having at least one of a fluorine atom and a silicon atom; and (D) a solvent; and a pattern forming method using the positive resist composition.
    一种正抗蚀剂组合物包括:(A) 在酸的作用下,其在碱显影剂中的溶解度增加的树脂;(B) 在光射线或辐射照射下能够产生酸的化合物;(C) 具有至少一个原子和一个原子的树脂;以及 (D) 溶剂;以及使用正抗蚀剂组合物的图案形成方法。
  • [EN] ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE<br/>[FR] COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU AU RAYONNEMENT, FILM SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE<br/>[JA] 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
    申请人:FUJIFILM CORP
    公开号:WO2021065450A1
    公开(公告)日:2021-04-08
    (A)酸分解性樹脂、(B)一般式(b1)で表される化合物、及び(C)一般式(c1)で表される化合物を含有し、化合物(B)の含有量に対する化合物(C)の含有量の割合が0.01質量%以上10質量%以下である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法。 Lは単結合又は二価の連結基を表す。Aは酸の作用により分解する基を表す。Bは酸の作用により分解する基、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。ただし、少なくとも1つのBはヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。nは1から5の整数を表す。Xはn+1価の連結基を表す。M+はスルホニウムイオン又はヨードニウムイオンを表す。
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