8-羟基-3,4-二氢色烯-2-酮 | 20974-72-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 3,4-二氢香豆素
• 中文名称: 8-羟基-3,4-二氢色烯-2-酮
• 英文名称: 8-Hydroxy-3,4-dihydro-2H-1-benzopyran-2-one
• 英文别名: 8-hydroxy-3,4-dihydrochromen-2-one
• CAS: 20974-72-5
• 化学式: C₉H₈O₃
• 分子量: 164.161
• InChiKey: ZIESQOSQKANBCA-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  337.4±31.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.343±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.3
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.22
• 拓扑面积：
  46.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  3-(2,3-二羟基苯基)丙酸 在 extradiol catechol dioxygenase MhpB H₁₁₅Y mutant 作用下， 生成 8-羟基-3,4-二氢色烯-2-酮
  参考文献：
  名称：

  Lactone synthesis activity in a site-directed mutant of an extradiol catechol dioxygenase enzyme

  摘要：

  外二醇儿茶酚二氧合酶 MhpB 的 H115Y 位点定向突变体在其天然底物上催化分子内内酯化反应。

  DOI：

  10.1039/b414292f

文献信息

• Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2813891A2

  公开（公告）日：2014-12-17

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of hydroxycoumarin is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO2 substrates.

  在光刻技术中，一种由包含羟基香豆素递归单元的酚醛树脂组成的组合物可用于形成光刻胶底层膜。该底层膜可在碱水中剥离，而不会对离子注入硅基底或二氧化硅基底造成损坏。
• UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20140363956A1

  公开（公告）日：2014-12-11

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of hydroxycoumarin is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO 2 substrates.
• US9620363B2
  申请人：——

  公开号：US9620363B2

  公开（公告）日：2017-04-11