2,5-dibromo-3,4-dimethylthieno[2,3-b]thiophene | 845778-61-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 噻吩并噻吩类
• 英文名称: 2,5-dibromo-3,4-dimethylthieno[2,3-b]thiophene
• CAS: 845778-61-2
• 化学式: C₈H₆Br₂S₂
• 分子量: 326.076
• InChiKey: CAKZHCORWHLXLQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.7
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,5-dibromo-3,4-dimethylthieno[2,3-b]thiophene 、 三甲基乙炔基硅 在 copper(l) iodide 、 四(三苯基膦)钯 、 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 24.0h， 以86%的产率得到2,5-Bis[(trimethylsilyl)ethynyl]-3,4-dimethylthieno[2,3-b]-thiophene
  参考文献：
  名称：

  线性二乙炔基低碳杂双茂并桥双钌配合物及其氧化形式的键合和电子性质

  摘要：

  基于桥连配体[{Ru（dppe）Cp *} 2（μ-C≡C–L–C≡C）] [dppe = 1 1,2-双（二苯基膦基）乙烷中，Cp * =η 5 -C 5我5 ; L =噻吩并[3,2- b ]噻吩（4），噻吩并[2,3- b ]噻吩（5），3,4-二甲基噻吩并[2,3 - b ]噻吩（6），双噻吩并[3,2 - b：2'，3'- d ]噻吩（7），和噻吩并[3,2- b ]噻吩并[2'，3'：4,5]噻吩并[2,3- d ]噻吩（8）]的合成，并在电化学和光谱学上进行了全面表征。氧化还原非无毒的低聚苯并二苯并庚烯桥芯的延伸导致在最初的两个阳极步骤之间的电势差较小，这对于游离的二烷基低聚苯并二乙炔并没有见到，并且在共轭的桥主干上正电荷的离域增加。母体配合物的最高占据分子轨道主要位于低聚苯并菲并烯核上，乙炔基连接基的强参与和金属末端的贡献较小。这种结合特性使初始的单电子氧化对称，如伏安法和

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.7b01433
• 作为产物：
  描述：

  3,4-二甲基噻吩(2,3-b)噻吩-2,5-二羧酸 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下， 以 N-甲基吡咯烷酮 、 水 为溶剂， 反应 16.0h， 以77%的产率得到2,5-dibromo-3,4-dimethylthieno[2,3-b]thiophene
  参考文献：
  名称：

  An alignable fluorene thienothiophene copolymer with deep-blue electroluminescent emission at 410 nm

  摘要：

  我们合成了一种可对准的液晶芴熔环噻吩噻吩共聚物，其电致发光峰值为 410 纳米，可在聚合物发光二极管、发光晶体管和光子结构中发出深蓝色偏振光。

  DOI：

  10.1039/b716510b

文献信息

• [EN] POLYMERISABLE THIENO[3,2-b]THIOPHENES<br/>[FR] THIENO[3,2-B]THIOPHENES POLYMERISABLES
  申请人：MERCK PATENT GMBH

  公开号：WO2005121150A1

  公开（公告）日：2005-12-22

  The invention relates to novel polymerisable thieno[3,2-b]thiophenes, to their use as semiconductors or charge transport materials, in optical, electro-optical or electronic devices like for example liquid, crystal displays, optical films, organic field effect transistors (FET or OFET) for thin film transistor liquid crystal displays and integrated circuit devices such as RFID tags, electroluminescent devices in flat panel displays, and in photovoltaic and sensor devices, and to field effect transistors, light emitting devices or ID tags comprising the novel compounds.

  这项发明涉及新型可聚合的噻吩[3,2-b]噻吩，其用作半导体或电荷传输材料，在光学、电光或电子设备中的应用，例如液晶显示器、光学薄膜、有机场效应晶体管（FET或OFET）用于薄膜晶体管液晶显示器和集成电路设备，如射频识别标签（RFID标签）、扁平面板显示器中的电致发光器件，以及光伏和传感器设备，以及包括这些新型化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。
• Bonding and Electronic Properties of Linear Diethynyl Oligothienoacene-Bridged Diruthenium Complexes and Their Oxidized Forms
  作者：Ya-Ping Ou、Jing Zhang、Ming-Xing Zhang、Fuxing Zhang、Daizhi Kuang、František Hartl、Sheng Hua Liu

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.7b01433

  日期：2017.9.18

  the bridging ligands [Ru(dppe)Cp*}2(μ-C≡C–L–C≡C)] [dppe = 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, Cp* = η5-C5Me5; L = thieno[3,2-b]thiophene (4), thieno[2,3-b]thiophene (5), 3,4-dimethylthieno[2,3-b]thiophene (6), dithieno[3,2-b:2′,3′-d]thiophene (7), and thieno[3,2-b]thieno[2′,3′:4,5]thieno[2,3-d]thiophene (8)] have been synthesized and fully characterized electrochemically and spectroscopically. Elongation

  基于桥连配体[Ru（dppe）Cp *} 2（μ-C≡C–L–C≡C）] [dppe = 1 1,2-双（二苯基膦基）乙烷中，Cp * =η 5 -C 5我5 ; L =噻吩并[3,2- b ]噻吩（4），噻吩并[2,3- b ]噻吩（5），3,4-二甲基噻吩并[2,3 - b ]噻吩（6），双噻吩并[3,2 - b：2'，3'- d ]噻吩（7），和噻吩并[3,2- b ]噻吩并[2'，3'：4,5]噻吩并[2,3- d ]噻吩（8）]的合成，并在电化学和光谱学上进行了全面表征。氧化还原非无毒的低聚苯并二苯并庚烯桥芯的延伸导致在最初的两个阳极步骤之间的电势差较小，这对于游离的二烷基低聚苯并二乙炔并没有见到，并且在共轭的桥主干上正电荷的离域增加。母体配合物的最高占据分子轨道主要位于低聚苯并菲并烯核上，乙炔基连接基的强参与和金属末端的贡献较小。这种结合特性使初始的单电子氧化对称，如伏安法和
• Mono-, oligo-and polythieno[2,3-b]thiophenes
  申请人：Heeney Martin

  公开号：US20050090640A1

  公开（公告）日：2005-04-28

  The invention relates to novel mono-, oligo and poly[2,3-b]-thienothiophenes, their use as semiconductors or charge transport materials, in optical, electro-optical or electronic devices like for example liquid crystal displays, optical films, organic field effect transistors (FET or OFET) for thin film transistor liquid crystal displays and integrated circuit devices such as RFID tags, electroluminescent devices in flat panel displays, and in photovoltaic and sensor devices, and to a field effect transistor, light emitting device or ID tag comprising the novel polymers.

  本发明涉及新型单体、寡聚体和聚[2,3-b]-噻吩噻吩，它们可用作半导体或电荷传输材料，在光学、电光或电子器件中使用，例如液晶显示器、光学薄膜、用于薄膜晶体管液晶显示器和集成电路器件（如RFID标签）、平板显示器中的电致发光器件，以及光伏和传感器器件。本发明还涉及一种场效应晶体管、发光器件或ID标签，其中包含新型聚合物。
• Polymerisable ThienO[3,2-B]Thiophenes
  申请人：Heeney Martin

  公开号：US20070246704A1

  公开（公告）日：2007-10-25

  The invention relates to novel polymerisable thieno[3,2-b]thiophenes, to their use as semiconductors or charge transport materials, in optical, electro-optical or electronic devices like for example liquid, crystal displays, optical films, organic field effect transistors (FET or OFET) for thin film transistor liquid crystal displays and integrated circuit devices such as RFID tags, electroluminescent devices in flat panel displays, and in photovoltaic and sensor devices, and to field effect transistors, light emitting devices or ID tags comprising the novel compounds.

  本发明涉及新型可聚合的噻吩[3,2-b]噻吩，以及它们作为半导体或电荷传输材料在光学、电光或电子设备中的应用，例如液晶显示器、光学薄膜、有机场效应晶体管（FET或OFET）用于薄膜晶体管液晶显示器和集成电路器件，例如RFID标签，平板显示器中的电致发光器件以及光伏和传感器器件，以及包含新化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。
• Mono-, oligo- and polythieno[2,3-b]thiophenes
  申请人：Merck Patent Gesellschaft

  公开号：US07183418B2

  公开（公告）日：2007-02-27

  The invention relates to novel mono-, oligo and poly[2,3-b]-thienothiophenes, their use as semiconductors or charge transport materials, in optical, electro-optical or electronic devices like for example liquid crystal displays, optical films, organic field effect transistors (FET or OFET) for thin film transistor liquid crystal displays and integrated circuit devices such as RFID tags, electroluminescent devices in flat panel displays, and in photovoltaic and sensor devices, and to a field effect transistor, light emitting device or ID tag comprising the novel polymers.

  本发明涉及新型单体、寡聚体和多聚[2,3-b]-噻吩噻吩，它们作为半导体或电荷传输材料，在光学、电光或电子器件中使用，例如液晶显示器、光学薄膜、用于薄膜晶体管液晶显示器和集成电路器件（如RFID标签）、平板显示器中的电致发光器件，以及在光伏和传感器器件中使用，并且涉及一种场效应晶体管、发光器件或ID标签，其中包含新型聚合物。