为了在有机场效应晶体管(OFET)中获得具有高电子迁移率的半导体材料,低能级(最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占据分子轨道(LUMO))和良好的分子堆积和有序化是两个关键因素。在此,据报道,将
吡啶和亚
硒基掺入基于二酮
吡咯并
吡咯(
DPP)的共聚物的主链中会产生高电子迁移率半导体P
DPPy-Se。与基于其他
DPP衍
生物和
硒烯的类似聚合物相比,P
DPPy-Se的LUMO较低,可以降低电子传输势垒,从而实现更有效的电子注入;同时,H
OPP较低,其HOMO更低,但可以增加空穴传输势垒,从而抑制电子注入。空穴注入。ë)高达2.22厘米2 V -1小号-1和空穴/电子迁移率比(μ ħ /μ Ë的0.26)。总体而言,这项研究表明,在基于
DPP的共聚物主链中协同使用
吡啶和
硒吩,可以提高有机晶体管中电子迁移率的简单有效方法。