Triphenylsulfonium 2-pivaloyloxy-1,1-difluoroethanesulfonate | 1173722-82-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: Triphenylsulfonium 2-pivaloyloxy-1,1-difluoroethanesulfonate
• 英文别名: 2-(2,2-dimethylpropanoyloxy)-1,1-difluoroethanesulfonate;triphenylsulfanium
• CAS: 1173722-82-1
• 化学式: C₇H₁₁F₂O₅S*C₁₈H₁₅S
• 分子量: 508.607
• InChiKey: JYGWXKFFFZSUOD-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.5
• 重原子数：
  34
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.24
• 拓扑面积：
  92.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Triphenylsulfonium 2-pivaloyloxy-1,1-difluoroethanesulfonate 在 盐酸 、 sodium methylate 作用下， 以 甲醇 、 二氯甲烷 、 异丙醚 为溶剂， 以99%的产率得到2-hydroxy-1,1-difluoroethanesulfonic acid triphenylsulfonium
  参考文献：
  名称：

  NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS

  摘要：

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。

  公开号：

  US20090246694A1
• 作为产物：
  描述：

  水 、 sodium 2-(pivaloyloxy)-1,1-difluoroethane-sulfonate 、 triphenylsulfonium iodide 在 水 、 乙醚 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 Triphenylsulfonium 2-pivaloyloxy-1,1-difluoroethanesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Positive resist composition and patterning process

  摘要：

  一种正性光阻组合物包括聚合物，其中包含硫鎓盐作为基础树脂的重复单元，该聚合物在酸的作用下在碱性显影剂中变得可溶。该聚合物在高能辐射下生成强硫酸，以促进光阻组合物中酸敏感基团的有效断裂。

  公开号：

  US08062828B2

文献信息

• Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20100119970A1

  公开（公告）日：2010-05-13

  There is disclosed a resist lower-layer composition configured to be used by a multi-layer resist method used in lithography to form a layer lower than a photoresist layer acting as a resist upper layer film, wherein the resist lower-layer composition becomes insoluble or poorly-soluble in an alkaline developer after formation of the lower layer, and wherein the resist lower-layer composition comprises, at least, a thermal acid generator for generating an acid represented by the general formula (1) by heating at a temperature of 100° C. or higher. RCOO—CH 2 CF 2 SO 3 − H + (1) There can be provided a resist lower-layer composition in a multi-layer resist method (particularly, a two-layer resist method and a three-layer resist method), which composition is used to form a layer lower than a photoresist layer acting as a resist upper layer film, which composition becomes insoluble or poorly-soluble in an alkaline developer after formation of the lower layer, and which composition is capable of forming a resist lower layer film, intermediate-layered film, and the like having a higher anti-poisoning effect and exhibiting a lower load to the environment.

  揭示了一种抗性下层组合物，配置为在光刻中使用的多层抗性方法中使用，用于形成低于作为抗性上层膜的光刻胶层的一层，其中抗性下层组合物在形成下层后变得不溶解或难溶解于碱性显影剂中，且抗性下层组合物至少包括用于通过在100°C或更高温度下加热生成由通式（1）表示的酸的热酸发生剂。 可以提供一种抗性下层组合物，用于多层抗性方法（特别是双层抗性方法和三层抗性方法），该组合物用于形成低于作为抗性上层膜的光刻胶层的一层，该组合物在形成下层后变得不溶解或难溶解于碱性显影剂中，并且该组合物能够形成具有更高抗毒性效果并表现出对环境负荷较低的抗性下层膜、中间层膜等。
• POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100099042A1

  公开（公告）日：2010-04-22

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 2 -C 20 hydrocarbon group having cyclic structure, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为具有环状结构的C2-C20烃基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了一种包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090274978A1

  公开（公告）日：2009-11-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1b) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) R 1 —O—COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1b) R 1 is a monovalent C 20 -C 50 hydrocarbon group of steroid structure which may contain a heteroatom. The bulky steroid structure ensures adequate control of acid diffusion. The photoacid generators are compatible with resins and suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1b）的磺酸。R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a)R1—O—COOCH2CF2SO3−H+(1b)R1是一种单价的C20-C50类固醇结构的烃基，可能含有杂原子。庞大的类固醇结构确保了对酸扩散的充分控制。光酸发生剂与树脂相容，并适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohashi Masaki

  公开号：US20110003247A1

  公开（公告）日：2011-01-06

  The photoacid generator produces a sulfonic acid which has a bulky cyclic structure in the sulfonate moiety and a straight-chain hydrocarbon group and thus shows a controlled acid diffusion behavior and an adequate mobility. The PAG is fully compatible with a resin to form a resist composition which performs well during the device fabrication process and solves the problems of resolution, LWR, and exposure latitude.

  照片酸发生剂会产生一种含有笨重环状结构的磺酸基团和直链碳氢基团的磺酸，因此表现出受控的酸扩散行为和适度的活性。该PAG与树脂完全兼容，形成一个抗蚀剂组合物，在器件制造过程中表现良好，并解决了分辨率、LWR和曝光容限等问题。
• Positive resist compositions and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US07993811B2

  公开（公告）日：2011-08-09

  A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising specific recurring units, represented by formula (1). The acid generator (B) is a specific sulfonium salt compound. When processed by lithography, the composition is improved in resolution and forms a pattern with a satisfactory mask fidelity and a minimal LER. Herein R1 is H or methyl, R2 is an acid labile group, R3 is CO2R4 when X is CH2, R3 is H or CO2R4 when X is O, R4 is a monovalent C1-C20 hydrocarbon group, and m is 1 or 2.

  一种正性光阻组合物包括(A)树脂组分，该组分在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂，并且(B)酸发生剂。树脂(A)是一种聚合物，包含特定的重复单元，由公式(1)表示。酸发生剂(B)是一种特定的磺酸盐化合物。当通过光刻处理时，该组合物在分辨率方面得到改善，并形成具有令人满意的掩模保真度和最小LER的图案。其中，R1为H或甲基，R2为酸不稳定基团，当X为CH2时，R3为CO2R4，当X为O时，R3为H或CO2R4，R4为单价的C1-C20烃基，m为1或2。