【課題】良好なマスクエラーファクタ(MEF)を有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[式中、R1及びR2は、それぞれ−O−L1−CO−O−R10等を表す。L1はアルカンジイル基を表す。R4、R5、R7及びR8は、それぞれハロゲン原子、フッ化アルキル基又は炭化水素基を表し、該基は、置換基を有してもよく、該基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−等で置き換わっていてもよい。R10はラクトン構造を有する基を表す。X1及びX2は、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。m1は1〜5、m2及びm8は0〜5、m4、m5及びm7は0〜4の整数を表す。但し、1≦m1+m7≦5、0≦m2+m8≦5である。AI−は、有機アニオンを表す。]【選択図】なし
目的是提供一种能够制造具有良好掩膜误差因子(MEF)的掩膜图案的盐、酸发生剂以及包含它们的掩膜组成物。解决方案是所述公式(I)表示的盐、酸发生剂和掩膜组成物。【公式中,R1和R2分别表示−O−L1−CO−O−R10等。L1表示脂肪二烯基。R4、R5、R7和R8分别表示卤素原子、
氟化烷基或烃基,该基可以具有取代基,基中的−CH2−可以被−O−或−CO−等替换。R10表示具有内酯结构的基。X1和X2分别独立地表示氧原子或
硫原子。m1表示1〜5,m2和m8表示0〜5,m4、m5和m7表示0〜4的整数。但是,1≦m1+m7≦5,0≦m2+m8≦5。AI−表示有机阴离子。】【选择图】无