3-Methyl-2-oxohex-5-enoic acid | 1104878-56-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 酮酸及其衍生物
• 英文名称: 3-Methyl-2-oxohex-5-enoic acid
• CAS: 1104878-56-9
• 化学式: C₇H₁₀O₃
• mdl: MFCD19231860
• 分子量: 142.155
• InChiKey: BXAZMVABMNWMED-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.3
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.428
• 拓扑面积：
  54.4
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  (Z)-2-prop-2-enoxybut-2-enoic acid 以 1,2-二氯乙烷 为溶剂， 生成 3-Methyl-2-oxohex-5-enoic acid
  参考文献：
  名称：

  Gosteli-Claisen重排：底物合成，简单的非对映选择性和动力学研究

  摘要：

  报道了对2-烷氧基羰基取代的烯丙基乙烯基醚的未催化的[3，3]-σ重排的动力学研究的结果。显然是由Gosteli于1972年首次报道的，这种克莱森重排的变体在过去的三十年里一直处于阴影状态，直到发现其发展催化不对称克莱森重排的潜力为止。受此发展的启发，我们研究了取代基和溶剂速率的影响，并提供了证据表明椅状过渡态对未催化的Gosteli-Claisen重排非常有利。

  DOI：

  10.1021/jo802303m

文献信息

• Volatile precursors for deposition of metals and metal-containing films
  申请人：——

  公开号：US20020013487A1

  公开（公告）日：2002-01-31

  This invention is directed to a group of novel homologous eight membered ring compounds having a metal, such as copper, reversibly bound in the ring and containing carbon, nitrogen, silicon and/or other metals. A structural representation of the compounds of this invention is shown below: 1 wherein M and M′ are each a metal such as Cu, Ag, Au and Ir; X and X′ can be N or O; Y and Y′ can be Si, C; Sn, Ge, or B; and Z and Z′ can be C, N, or O. Substituents represented by R1, R2, R3, R4, R5, R6, R1′, R2′, R3′, R4′, R5′, and R6′ will vary depending on the ring atom to which they are attached. This invention is also directed to depositing metal and metal-containing films on a substrate, under ALD or CVD conditions, using the above novel compounds as precursors.

  本发明涉及一组新型同源的八元环化合物，其中含有金属（例如铜）可逆地结合在环中，并含有碳、氮、硅和/或其他金属。该发明化合物的结构表示如下：1其中M和M'均为金属，如Cu、Ag、Au和Ir；X和X'可以是N或O；Y和Y'可以是Si、C、Sn、Ge或B；Z和Z'可以是C、N或O。由R1、R2、R3、R4、R5、R6、R1'、R2'、R3'、R4'、R5'和R6'表示的取代基将取决于它们附着的环原子。本发明还涉及使用上述新型化合物作为前体，在ALD或CVD条件下在基底上沉积金属和含金属的薄膜。
• Precursors for metal containing films
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：EP1471568A1

  公开（公告）日：2004-10-27

  The present invention is a 1-azaallyl compound of the formula: and metal coordination complexes of a representative compound, such as Et(N)C(tBu)CH2SiMe3, wherein Et = ethyl, tBu = tertiary butyl and Me = methyl, and processes for depositing metal and metal compound films, such as metal nitride and metal oxide films on electronic materials substrates using CVD or ALD of those metal coordination complexes of the compound.

  本发明涉及一种1-azaallyl化合物，其化学式为：以及代表性化合物的金属配位复合物，例如Et（N）C（tBu）CH2SiMe3，其中Et =乙基，tBu =叔丁基，Me =甲基，并且使用该化合物的金属配位复合物的CVD或ALD在电子材料基板上沉积金属和金属化合物薄膜，例如金属氮化物和金属氧化物薄膜的过程。
• US6818783B2
  申请人：——

  公开号：US6818783B2

  公开（公告）日：2004-11-16