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2,2-Difluoro-3-hydroxypentanoic acid | 1233233-76-5

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2,2-Difluoro-3-hydroxypentanoic acid
英文别名
——
2,2-Difluoro-3-hydroxypentanoic acid化学式
CAS
1233233-76-5
化学式
C5H8F2O3
mdl
——
分子量
154.11
InChiKey
RLFXUHFTSMNNLS-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.7
  • 重原子数:
    10
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.8
  • 拓扑面积:
    57.5
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    5

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2,2-Difluoro-3-hydroxypentanoic acid甲烷磺酸甲基丙烯酸酐乙酸乙酯 、 mixed solution 、 ethyl acetate diisopropyl ether 作用下, 以 乙腈 为溶剂, 反应 2.0h, 以With this, 722 g of methacrylic acid 1-hydroxycarbonyl-1,1-difluoro-2-butyl ester was obtained (yield: 87%, purity: 56%)的产率得到2,2-二氟-3-(甲基丙烯酰氧基)戊酸
    参考文献:
    名称:
    Fluorine-containing compound, fluorine-containing polymer compound, resist composition and patterning method using same
    摘要:
    本发明揭示了一种含氟聚合物化合物,其包括下述一般式(2)的重复单元(a),并具有1000至1000000的重均分子量,其中R1代表可聚合的双键含有基团;R2代表氟原子或含氟烷基团;R3代表氢原子、酸敏基团、交联位点或其他一价有机基团;W1代表连接基团。当将该含氟聚合物化合物用于300纳米或更短波长的高能辐射或电子束辐射的图案形成的光阻化合物中时,可以形成具有良好矩形剖面的光阻图案。
    公开号:
    US08592540B2
  • 作为产物:
    描述:
    2,2-二氟-3-羟基戊酸乙酯甲醇 、 、 sodium hydroxide盐酸异丙醚 、 ice water 、 mixed solution 、 乙酸乙酯 作用下, 以 为溶剂, 反应 4.0h, 以With this, 683 g of 2,2-difluoro-3-hydroxy-pentanoic acid was obtained (yield: 98%, purity: 95%)的产率得到2,2-Difluoro-3-hydroxypentanoic acid
    参考文献:
    名称:
    Fluorine-containing compound, fluorine-containing polymer compound, resist composition and patterning method using same
    摘要:
    本发明揭示了一种含氟聚合物化合物,其包括下述一般式(2)的重复单元(a),并具有1000至1000000的重均分子量,其中R1代表可聚合的双键含有基团;R2代表氟原子或含氟烷基团;R3代表氢原子、酸敏基团、交联位点或其他一价有机基团;W1代表连接基团。当将该含氟聚合物化合物用于300纳米或更短波长的高能辐射或电子束辐射的图案形成的光阻化合物中时,可以形成具有良好矩形剖面的光阻图案。
    公开号:
    US08592540B2
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文献信息

  • Fluorine-Containing Compound, Fluorine-Containing Polymer Compound, Resist Composition and Patterning Method Using Same
    申请人:Mori Kazunori
    公开号:US20110318542A1
    公开(公告)日:2011-12-29
    There is disclosed a fluorine-containing polymer compound comprising a repeating unit (a) of the following general formula (2) and having a weight-average molecular weight of 1000 to 1000000 where R 1 represents a polymerizable double bond-containing group; R 2 represents a fluorine atom or a fluorine-containing alkyl group; R 3 represents a hydrogen atom, an acid labile group, a cross-linking site or the other monovalent organic group; and W 1 represents a linking moiety. When the fluorine-containing polymer compound is used in a resist compound for pattern formation by high energy radiation of 300 nm or less wavelength or electron beam radiation, it is possible to form a resist pattern with a good rectangular profile.
    本发明公开了一种含氟聚合物化合物,其包括下述通式(2)的重复单元(a),并且具有1000至1000000的重均分子量,其中R1表示聚合双键含有基团;R2表示氟原子或含氟烷基;R3表示氢原子、酸敏基团、交联位点或其他一价有机基团;W1表示连接基。当将该含氟聚合物化合物用于300纳米或更短波长的高能辐射或电子束辐射的图案形成的光阻化合物中时,可以形成具有良好矩形轮廓的光阻图案。
  • Fluorine-containing compound, fluorine-containing polymer compound, resist composition and patterning method using same
    申请人:Mori Kazunori
    公开号:US08592540B2
    公开(公告)日:2013-11-26
    There is disclosed a fluorine-containing polymer compound comprising a repeating unit (a) of the following general formula (2) and having a weight-average molecular weight of 1000 to 1000000 where R1 represents a polymerizable double bond-containing group; R2 represents a fluorine atom or a fluorine-containing alkyl group; R3 represents a hydrogen atom, an acid labile group, a cross-linking site or the other monovalent organic group; and W1 represents a linking moiety. When the fluorine-containing polymer compound is used in a resist compound for pattern formation by high energy radiation of 300 nm or less wavelength or electron beam radiation, it is possible to form a resist pattern with a good rectangular profile.
    本发明揭示了一种含氟聚合物化合物,其包括下述一般式(2)的重复单元(a),并具有1000至1000000的重均分子量,其中R1代表可聚合的双键含有基团;R2代表氟原子或含氟烷基团;R3代表氢原子、酸敏基团、交联位点或其他一价有机基团;W1代表连接基团。当将该含氟聚合物化合物用于300纳米或更短波长的高能辐射或电子束辐射的图案形成的光阻化合物中时,可以形成具有良好矩形剖面的光阻图案。
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