PDI20D-T2 | 1335248-49-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 菲及其衍生物
• 英文名称: PDI20D-T2
• 英文别名: 7,18-Bis(2-octyldodecyl)-11,22-dithiophen-2-yl-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(22),2,4,9,11,13(23),14,16(24),20,25-decaene-6,8,17,19-tetrone；7,18-bis(2-octyldodecyl)-11,22-dithiophen-2-yl-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(22),2,4,9,11,13(23),14,16(24),20,25-decaene-6,8,17,19-tetrone
• CAS: 1335248-49-1
• 化学式: C₇₂H₉₄N₂O₄S₂
• 分子量: 1115.68
• InChiKey: NUUPWDRNINQKHF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  25.6
• 重原子数：
  80
• 可旋转键数：
  38
• 环数：
  9.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.56
• 拓扑面积：
  131
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  PDI20D-T2 在 碘 作用下， 以 苯 为溶剂， 反应 15.0h， 以56%的产率得到DTC20D
  参考文献：
  名称：

  [EN] THIENOCORONENE-IMIDE SEMICONDUCTING COMPOUNDS AND POLYMERS
  [FR] COMPOSÉS SEMI-CONDUCTEURS ET POLYMÈRES À BASE DE THIÉNOCORONÈNE-IMIDE

  摘要：

  公开号：

  WO2011117849A8
• 作为产物：
  描述：

  N,N'-bis(2-octyldodecyl)-1,7-dibromo-3,4,9,10-perylene diimide 、 2-三丁基甲锡烷基噻吩 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 48.0h， 以80%的产率得到PDI20D-T2
  参考文献：
  名称：

  二噻吩并环电子和迁移率平衡的双噻吩并二苯并（双）噻二唑的双极性共聚物

  摘要：

  报道了一种新的双硫代二茂铁二酰亚胺（DTCDI）和苯并（双）噻二唑（BTZ）的共聚物P（DTCBTZ）作为有机场效应晶体管（OFET）的活性层。具有长烷基链的DTCDI和不具有烷基链的BTZ的组合可减少不同聚合物主链的受体之间的空间位阻。将2,2'-联噻吩引入P（DTCBTZ），从而诱导了供体-受体（DA）相互作用。P（DTCBTZ）溶液和薄膜的吸收光谱表明，固态的P（DTCBTZ）共聚物存在相对较强的聚集体。P（DTCBTZ）的新共聚物的HOMO为-5.54 eV，LUMO为-3.72 eV，既适合空穴传输又适合电子传输。制备了底栅和顶接触（BGTC）晶体管，并观察到平衡的电荷传输，空穴迁移率为0.018 cm2  V -1  s -1和0.019 cm 2  V -1  s -1的电子迁移率，表明在双极性半导体中应用含DTCDI的聚合物的潜力。

  DOI：

  10.1016/j.orgel.2014.11.001

文献信息

• THIENOCORONENE-IMIDE SEMICONDUCTING COMPOUNDS AND POLYMERS
  申请人：Usta Hakan

  公开号：US20120264900A1

  公开（公告）日：2012-10-18

  Disclosed are new semiconductor materials prepared from thienocoronene-imide-based small molecule and/or polymeric compounds. Such compounds can exhibit high carrier mobility and/or good current modulation characteristics. In addition, the compounds of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution-processability and/or good stability at ambient conditions.
• US8329855B2
  申请人：——

  公开号：US8329855B2

  公开（公告）日：2012-12-11