3-bromothieno[3,2-b][1]benzothiophene | 1057661-20-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 3-bromothieno[3,2-b][1]benzothiophene
• 英文别名: 3-Bromothieno[3,2-b][1]benzothiole
• CAS: 1057661-20-7
• 化学式: C₁₀H₅BrS₂
• 分子量: 269.186
• InChiKey: KHWGPDOQGLVPPN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.7
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-bromothieno[3,2-b][1]benzothiophene 在 四(三苯基膦)钯 、 1,1'-双(二苯膦基)二茂铁二氯化钯(II)二氯甲烷复合物 、 potassium acetate 、 potassium carbonate 作用下， 以 四氢呋喃 、 1,4-二氧六环 、 水 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Naphtho[2,1-b:3,4-b′]bisthieno[3,2-b][1]benzothiophene-based semiconductors for organic field-effect transistors

  摘要：

  Naphtho[2,1-b:3,4-b′]bisthieno[3,2-b][1]benzothiophene衍生物表现出高达0.25 cm^2 V^-1 s^-1的空穴迁移率，显示出作为构建下一代高性能有机半导体的有用组成部分的潜力。

  DOI：

  10.1039/c5tc00631g
• 作为产物：
  描述：

  3-溴苯并噻吩 在 溴 、 铜 、 potassium carbonate 、 sodium hydroxide 、 lithium diisopropyl amide 作用下， 以 四氢呋喃 、 喹啉 、 二氯甲烷 、 水 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 89.0h， 生成 3-bromothieno[3,2-b][1]benzothiophene
  参考文献：
  名称：

  Naphtho[2,1-b:3,4-b′]bisthieno[3,2-b][1]benzothiophene-based semiconductors for organic field-effect transistors

  摘要：

  Naphtho[2,1-b:3,4-b′]bisthieno[3,2-b][1]benzothiophene衍生物表现出高达0.25 cm^2 V^-1 s^-1的空穴迁移率，显示出作为构建下一代高性能有机半导体的有用组成部分的潜力。

  DOI：

  10.1039/c5tc00631g

文献信息

• Synthesis and Cycloaddition Reaction of 3-Vinylthieno[3,2-b][1]benzothiophene
  作者：Aleš Machara、Michaela Pojarová、Jiří Svoboda

  DOI：10.1135/cccc20070952

  日期：——

  A new method of synthesis of 3-substituted thieno[3,2-b][1]benzothiophenes based on a halogen dance process was developed. The cycloaddition reaction of the title compound with dimethyl acetylenedicarboxylate leads to the formation of a complex mixture of products resulting from a series of consecutive reactions of the primary adduct.

  一种基于卤素舞蹈过程的合成3-取代噻吩[3,2-b][1]苯并噻吩的新方法已经开发。标题化合物与二甲基乙烯二羧酸酯的环加成反应导致形成一种复杂的产物混合物，这些产物是由初级加合物的一系列连续反应产生的。
• US2023/167139
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Naphtho[2,1-b:3,4-b′]bisthieno[3,2-b][1]benzothiophene-based semiconductors for organic field-effect transistors
  作者：Zhaoguang Li、Ji Zhang、Kai Zhang、Weifeng Zhang、Lei Guo、Jianyao Huang、Gui Yu、Man Shing Wong

  DOI：10.1039/c5tc00631g

  日期：——

  Naphtho[2,1-b:3,4-b′]bisthieno[3,2-b][1]benzothiophene derivatives exhibiting a hole mobility of up to 0.25 cm² V⁻¹ s⁻¹ show promise as useful building blocks to construct next-generation high performance organic semiconductors.

  Naphtho[2,1-b:3,4-b′]bisthieno[3,2-b][1]benzothiophene衍生物表现出高达0.25 cm^2 V^-1 s^-1的空穴迁移率，显示出作为构建下一代高性能有机半导体的有用组成部分的潜力。