2,3,9-Trifluoro-6,13-dioxatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1,3,8,10,15-pentaene-5,7,12,14-tetrone | 1026795-56-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 异香豆素及其衍生物
• 英文名称: 2,3,9-Trifluoro-6,13-dioxatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1,3,8,10,15-pentaene-5,7,12,14-tetrone
• CAS: 1026795-56-1
• 化学式: C₁₄HF₃O₆
• 分子量: 322.154
• InChiKey: IONCPLDCHCFUAV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.2
• 重原子数：
  23
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  86.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  9

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  四(4-甲酰基苯基)硅烷 在 18-冠醚-6 potassium fluoride 作用下， 以 环丁砜 为溶剂， 反应 4.0h， 生成 2,9-Difluoro-6,13-dioxatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1,3,8,10,15-pentaene-5,7,12,14-tetrone 、 2,10-Difluoro-6,13-dioxatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1,3,8,10,15-pentaene-5,7,12,14-tetrone 、 2,3,9-Trifluoro-6,13-dioxatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1,3,8,10,15-pentaene-5,7,12,14-tetrone 、 2,3,9,10-Tetrafluoro-6,13-dioxatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1,3,8,10,15-pentaene-5,7,12,14-tetrone
  参考文献：
  名称：

  Naphthalenetetracarboxylic Aicd Derivatives and their Use as Semiconductors

  摘要：

  本发明涉及萘四羧酸衍生物，其制备方法及其用途，特别是作为n型半导体。

  公开号：

  US20080300405A1

文献信息

• NAPHTHALINTETRACARBONSÄUREDERIVATE UND DEREN VERWENDUNG ALS HALBLEITER
  申请人：BASF SE

  公开号：EP2532663A1

  公开（公告）日：2012-12-12

  Die vorliegende Erfindung betrifft Naphthalintetracarbonsäurederivate, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung, insbesondere als Halbleiter vom n-Typ.

  本发明涉及萘四甲酸衍生物、其制备工艺及其用途，特别是用作 n 型半导体。
• Method for the deposition of an organic material
  申请人：CLAP Co., Ltd.

  公开号：US10741762B2

  公开（公告）日：2020-08-11

  The present invention relates to a method for the deposition of at least one layer of an organic material on a substrate by (a) providing a source of a solid organic material in an atmosphere at a pressure comprised between 50 and 200 kPa, (b) heating said organic material to a first temperature to produce a vapor of said organic material, (c) exposing at least one surface of a substrate having a second temperature lower than said first temperature to said vapor to deposit organic material from said vapor onto said at least one surface of said substrate.

  本发明涉及一种在基底上沉积至少一层有机材料的方法，具体方法是：(a) 在压力介于 50 至 200 千帕之间的大气中提供固体有机材料源；(b) 将所述有机材料加热到第一温度，以产生所述有机材料的蒸汽；(c) 将第二温度低于所述第一温度的基底的至少一个表面暴露于所述蒸汽中，以将有机材料从所述蒸汽中沉积到所述基底的至少一个表面上。
• NAPHTHALENETETRACARBOXYLIC ACID DERIVATIVES AND THEIR USE AS SEMICONDUCTORS
  申请人：Könemann Martin

  公开号：US20120059168A1

  公开（公告）日：2012-03-08

  The present invention relates to naphthalenetetracarboxylic acid derivates, to a process for their preparation and to their use, especially as an n-type semiconductor.
• US8084603B2
  申请人：——

  公开号：US8084603B2

  公开（公告）日：2011-12-27
• US8309728B2
  申请人：——

  公开号：US8309728B2

  公开（公告）日：2012-11-13