基于掺杂聚
噻吩 (
PT) 的半导体在有机电子领域引起了极大的兴趣,并且基于其卓越的电性能、易于加工和可调的分子结构而设计用于新型热电应用。在本研究中,系统地研究了
PT 中
乙烯基连接体的影响,以了解结构特性、薄膜形态和热电性能之间的相互依赖性。特别是,可溶性聚(
噻吩乙烯)(
PTV)基共轭聚合物,聚[3,4-双(2-乙基己基)
噻吩乙烯](P3,4EHTV)是通过以下方法合成的无卤素和无过渡
金属聚合,并与经常研究的聚[3-(乙基己基)
噻吩](P3EHT)类似物进行比较。此外,还表征了这两种掺杂三(
五氟苯基)
硼烷(B(C 6 F 5)3 ,BCF)的
PT薄膜的热电性能。此外,掺杂的 P3,4EHTV 的双极化子状态通过详细的紫外-可见-近红外 (UV-vis-NIR) 和电子顺磁共振 (EPR) 光谱分析。系统的微观结构表征表明,将
乙烯基引入共轭聚合物主链可与 BCF 掺杂剂产生良好的混溶性,同