tris(4-tert-butylphenyl)sulfonium bromide | 469912-73-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: tris(4-tert-butylphenyl)sulfonium bromide
• 英文别名: Tris(4-tert-butylphenyl)sulfanium bromide；tris(4-tert-butylphenyl)sulfanium;bromide
• CAS: 469912-73-0
• 化学式: Br*C₃₀H₃₉S
• 分子量: 511.61
• InChiKey: LPXNUENHCAYIDS-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.68
• 重原子数：
  32
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-dimethylamino-1-(2-hydroxy-5-methylphenyl)prop-2-en-1-one 、 tris(4-tert-butylphenyl)sulfonium bromide 在 tris(bipyridine)ruthenium(II) dichloride hexahydrate 、 sodium acetate 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 3.0h， 以85%的产率得到3-(4-(tert-butyl)phenyl)-6-methyl-4H-chromen-4-one
  参考文献：
  名称：

  ulf盐和芳烃磺酰氯的邻羟基芳基亚胺基化：异黄酮的获取。

  摘要：

  本文中，我们公开了三种新方法，这些方法可通过大量稳定和易于使用的sulf盐和芳烃磺酰氯将邻羟基羟基亚胺基芳基化后，直接有效地合成3-芳基色酮。两种开发的方法，即光介导的光氧化还原和亲电芳基化，均显示出良好的效率，并且对于以良好至优异的产率制备3-芳基色酮是可行的。这项工作展示了首次描述的尝试，其中成功地利用了salts盐和芳烃磺酰氯来构建色酮杂环系统。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.0c02294
• 作为产物：
  描述：

  4-叔丁基溴苯 在 magnesium 、 三甲基氯硅烷 、 氯化亚砜 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以68%的产率得到tris(4-tert-butylphenyl)sulfonium bromide
  参考文献：
  名称：

  使用格氏试剂和三甲基氯硅烷作为活化剂制备三芳基溴化锍的简便方法

  摘要：

  三芳基溴化锍通过二芳基亚砜与芳基格氏试剂在 TMSCI 存在下反应合成，然后用 HBr 水溶液处理。在TMSCI存在下，用5当量格氏试剂处理亚硫酸二甲酯或亚硫酰氯，合成了硫原子上具有三个相同取代基的溴化三芳基锍。

  DOI：

  10.1055/s-2004-829113

文献信息

• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20090246694A1

  公开（公告）日：2009-10-01

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100099042A1

  公开（公告）日：2010-04-22

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 2 -C 20 hydrocarbon group having cyclic structure, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为具有环状结构的C2-C20烃基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了一种包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• SULFONIUM SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, PHOTOMASK BLANK, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100143830A1

  公开（公告）日：2010-06-10

  A sulfonium salt has formula (1) wherein R 1 is a monovalent hydrocarbon group except vinyl and isopropenyl, R 2 , R 3 , and R 4 are alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl or may bond together to form a ring with the sulfur atom, and n is 1 to 3. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt is capable of forming a fine feature pattern of good profile after development due to high resolution, improved focal latitude, and minimized line width variation and profile degradation upon prolonged PED.

  一种硫铵盐的化学式为（1），其中R1是一种一价碳氢基团，但不包括乙烯基和异丙烯基，R2、R3和R4是烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者它们可以相互连接形成与硫原子的环，并且n为1至3。包含该硫铵盐的化学增感抗剂组合物能够由于高分辨率、改善的焦距宽度、以及在长时间PED后最小化线宽变化和剖面降解而形成良好剖面的精细特征图案。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。