建立一种合成方法以提供带有单个溴取代的端基的单官能远螯聚(3-辛基噻吩)(P3OT),其在制备明确的嵌段共聚物中具有潜在的用途。遥爪P3OT用催化剂转移缩聚5-溴-4-辛基-2-噻吩基由phenylnickel(II)引发剂引发的碘化物(CTCP)通过链生长工艺制备。淬灭反应的条件的优化允许在聚合物的末端安装α-溴官能团。我们通过将它定义为单官能聚合物Ph–P3OT–Br偶联到聚喹喔啉(PQ)带有硼酸酯末端基团,以提供新的一类供体-受体-供体(DA-D)三嵌段共聚物。三嵌段共聚物的形成通过凝胶渗透色谱法(GPC)和1 H NMR光谱法确认。使用紫外可见吸收和荧光光谱法研究了聚合物的光学性质。来自三嵌段共聚物的各个嵌段的荧光的有效猝灭与电子转移的发生是一致的。AFM图像说明了富电子的P3OT和贫电子的PQ块的纳米级相分离。
建立一种合成方法以提供带有单个溴取代的端基的单官能远螯聚(3-辛基噻吩)(P3OT),其在制备明确的嵌段共聚物中具有潜在的用途。遥爪P3OT用催化剂转移缩聚5-溴-4-辛基-2-噻吩基由phenylnickel(II)引发剂引发的碘化物(CTCP)通过链生长工艺制备。淬灭反应的条件的优化允许在聚合物的末端安装α-溴官能团。我们通过将它定义为单官能聚合物Ph–P3OT–Br偶联到聚喹喔啉(PQ)带有硼酸酯末端基团,以提供新的一类供体-受体-供体(DA-D)三嵌段共聚物。三嵌段共聚物的形成通过凝胶渗透色谱法(GPC)和1 H NMR光谱法确认。使用紫外可见吸收和荧光光谱法研究了聚合物的光学性质。来自三嵌段共聚物的各个嵌段的荧光的有效猝灭与电子转移的发生是一致的。AFM图像说明了富电子的P3OT和贫电子的PQ块的纳米级相分离。