(4-bromo-3-methylphenyl)(tert-butyl)sulfane | 1417371-44-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物 - 硫醚类
• 英文名称: (4-bromo-3-methylphenyl)(tert-butyl)sulfane
• 英文别名: 1-Bromo-4-tert-butylsulfanyl-2-methylbenzene
• CAS: 1417371-44-8
• 化学式: C₁₁H₁₅BrS
• 分子量: 259.21
• InChiKey: GZAPICWPNSOSQI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.1
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.45
• 拓扑面积：
  25.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (4-bromo-3-methylphenyl)(tert-butyl)sulfane 、 2-甲基苯硼酸 在 四(三苯基膦)钯 、 caesium carbonate 作用下， 以 乙醇 、 甲苯 为溶剂， 反应 24.0h， 以99.6%的产率得到tert-butyl(2,2'-dimethyl-[1,1'-biphenyl]-4-yl)sulfane
  参考文献：
  名称：

  扭转角变化的联苯硫醇自组装单层膜的多尺度电荷注入和输运性质

  摘要：

  本文描述了一系列联苯硫醇衍生物在金电极上自组装时在其分子骨架中具有不同扭转自由度的分子结构与功能的关系。化学吸附在Au上的这些联苯硫醇分子相对于表面法线表现出不同的倾斜角，并且具有不同的堆积密度。电荷通过联苯硫醇自组装单分子层（SAMs）传输时，有效单分子层厚度显示出特征衰减趋势。基于并行路径模型，隧道衰变因子β估计为0.27Å -1。结合有联苯硫醇SAM的Au（Au）源电极和漏电极涂覆的基于聚（3-己基噻吩）的薄膜晶体管的空穴迁移率显示出对注入势垒的依赖性，该注入势垒具有半导体中最高的分子轨道（HOMO）能级。讨论了SAMs在晶体管电极上的电阻率对阈值电压偏移的可能作用。对SAM的化学结构，电子特性和包装顺序的控制为调节有机电子设备中的电荷注入提供了一个多功能的平台。

  DOI：

  10.1002/chem.201201858
• 作为产物：
  描述：

  2-溴-5-氟甲苯 、 2-甲基-2-丙硫醇钠盐 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 2.0h， 以47%的产率得到(4-bromo-3-methylphenyl)(tert-butyl)sulfane
  参考文献：
  名称：

  扭转角变化的联苯硫醇自组装单层膜的多尺度电荷注入和输运性质

  摘要：

  本文描述了一系列联苯硫醇衍生物在金电极上自组装时在其分子骨架中具有不同扭转自由度的分子结构与功能的关系。化学吸附在Au上的这些联苯硫醇分子相对于表面法线表现出不同的倾斜角，并且具有不同的堆积密度。电荷通过联苯硫醇自组装单分子层（SAMs）传输时，有效单分子层厚度显示出特征衰减趋势。基于并行路径模型，隧道衰变因子β估计为0.27Å -1。结合有联苯硫醇SAM的Au（Au）源电极和漏电极涂覆的基于聚（3-己基噻吩）的薄膜晶体管的空穴迁移率显示出对注入势垒的依赖性，该注入势垒具有半导体中最高的分子轨道（HOMO）能级。讨论了SAMs在晶体管电极上的电阻率对阈值电压偏移的可能作用。对SAM的化学结构，电子特性和包装顺序的控制为调节有机电子设备中的电荷注入提供了一个多功能的平台。

  DOI：

  10.1002/chem.201201858