p-type semiconductor material. Here, we describe the synthesis and characterisation of a family of Sn(II) pyrrolide complexes for future application in the MOCVD and ALD of tin containing thin films. Reaction of the Sn(II) amide complex, [(Me3Si)2N}2Sn], with the N,N-bidentate pyrrole pro-ligand, L1H, forms the hetero- and homoleptic complexes [L1}SnN(SiMe3)2}] (1) and [L1}2Sn] (2), respectively
SnO是稳定的p型半导体材料的稀有例子。在这里,我们描述了Sn(II)
吡咯化物配合物家族的合成和表征,以供将来在含
锡薄膜的MOCVD和ALD中应用。Sn(II)酰胺配合物[(Me 3 Si)2 N} 2 Sn]与N,N齿状
吡咯原
配体L 1 H的反应形成杂配和均配的配合物[L 1 } Sn N(SiMe 3)2 }](1)和[L 1 } 2Sn](2)分别带有2-二
甲基氨基甲基-
吡咯化物
配体(L 1)。[(Me 3 Si)2 N)} 2 Sn]与
吡咯-醛
亚胺原
配体L 2 H–L 7 H的反应导致纯均双
吡咯化物配合物[L 2– 7 } 2 Sn](3–8)。所有配合物均已通过元素分析和NMR光谱表征,配合物1-5和8的分子结构通过单晶X射线衍射确定。TG分析和等温TG分析已用于评估这些系统作为MOCVD和ALD前体的潜在效用。