基于
咔唑的钳位
配体R(Cbz
PNP)H(R = i Pr,t Bu)已用于合成和表征各种低自旋和高自旋
钴配合物。用NaHBEt 3处理高自旋络合物R(Cbz
PNP)CoCl(2 R -Co II Cl)后,选择性形成氢化
钴(II)3 i Pr -Co II H和T形
钴(I)复合4 t Bu -Co I观察到取决于
磷原子上的取代基。为了明确表征反应产物,进行了密度泛函理论(DFT)支持的顺磁NMR分析,该分析建立了
金属原子的电子构型和氧化态,从而证明了
配体取代对产物的重大影响。反应。一个明显的单电子反应性被发现的4吨卜-Co我在脱卤吨BuCl和切割PhS
SPh的。另一方面,Co I物种在二氢的氧化加成中表现出两电子氧化还原行为。生成的二
氢化物络合物6 t Bu发现-Co III(H)2对烯烃显示迟钝的反应性,而氢化
钴(II)3 i Pr -Co II H成功地用于未受阻烯烃的催化加氢。的
化学计量的氢解8我
镨-Co