在N,N-二甲基甲酰胺中,通过均相(氧化还原催化)和/或非均相(循环伏安法和卷积分析)电
化学技术研究了一系列相关
硫化物和二
硫化物的电子受体性能。确定电子传输速率常数作为反应自由能的函数,并确定相应的固有势垒。评估了相关的热力学和动力学参数对取代基的依赖性。还就与还原二芳基二
硫化物有关的相应数据相关地分析了动力学数据。所有研究的还原反应都是通过逐步解离电子转移(DET)进行的,该转移导致C(烷基)-S或SS键断裂。关于本征电子转移势垒如何取决于分子特征的概括图,确定了环取代基,以及在易碎键和芳族基团之间存在间隔基。发现该还原机理在普通的逐步DET和通过形成松散的自由基阴离子进行的DET之间经历了渐进的(并且现在是可预测的)转变。将本征壁垒与可用于ET的几类解离型和非解离型受体的可比结果进行了比较,这导致验证了Hush理论所预测的异构数据和均质数据之间的相关性。