N-(4-aminophenyl)-N-phenyl-1-aminopyrene | 1446316-97-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 芘
• 英文名称: N-(4-aminophenyl)-N-phenyl-1-aminopyrene
• 英文别名: 4-N-phenyl-4-N-pyren-1-ylbenzene-1,4-diamine
• CAS: 1446316-97-7
• 化学式: C₂₈H₂₀N₂
• 分子量: 384.48
• InChiKey: XWTXEJYXDGSPAI-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  622.7±38.0 °C(predicted)
• 密度：
  1.301±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.6
• 重原子数：
  30
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  29.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N-(4-aminophenyl)-N-phenyl-1-aminopyrene 、 4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 5.0h， 以98%的产率得到4,4'-hexafluoroisopropylidenebis[4-(N-phenyl-N-pyren-1-ylamino)phenylphthalimide]
  参考文献：
  名称：

  供体-受体寡酰亚胺，用于高性能电存储设备

  摘要：

  两个新的oligoimides，OI（APAP-6FDA）和OI（APAN-6FDA） ，其由供电子性的ñ - （4-一个minophenyl） - ñ -苯基-1-氨基芘（APAP）或ñ - （4-一个氨基苯基）-N-苯基-1-氨基萘（APAN）部分和电子接受4,4'-（六氟异亚丙基）二邻苯二甲酸酐（6FDA设计并合成用于电子存储设备中的部分。这种具有铟锡氧化物（ITO）/低聚酰亚胺/ Al构造的器件显示出从高导电欧姆电流流向负微分电阻（NDR）的存储特性，相应的膜厚度分别为38 nm和48 nm。48 nm的低聚酰亚胺薄膜器件表现出NDR电学行为，这是由于Al原子扩散到低聚酰亚胺层中而引起的。在将膜厚度进一步增加到85 nm时，OI（APAP-6FDA）膜器件显示出可重现的非易失性“一次写入多次读取”（WORM）特性，并具有高的开/关电流比（大于×10 4）。另一方面，基于85 nm

  DOI：

  10.1002/asia.201300335
• 作为产物：
  描述：

  N-(4-nitrophenyl)-N-phenyl-1-aminopyrene 在 palladium 10% on activated carbon 、 氢气 作用下， 以 乙酸乙酯 为溶剂， 反应 24.0h， 以95%的产率得到N-(4-aminophenyl)-N-phenyl-1-aminopyrene
  参考文献：
  名称：

  供体-受体寡酰亚胺，用于高性能电存储设备

  摘要：

  两个新的oligoimides，OI（APAP-6FDA）和OI（APAN-6FDA） ，其由供电子性的ñ - （4-一个minophenyl） - ñ -苯基-1-氨基芘（APAP）或ñ - （4-一个氨基苯基）-N-苯基-1-氨基萘（APAN）部分和电子接受4,4'-（六氟异亚丙基）二邻苯二甲酸酐（6FDA设计并合成用于电子存储设备中的部分。这种具有铟锡氧化物（ITO）/低聚酰亚胺/ Al构造的器件显示出从高导电欧姆电流流向负微分电阻（NDR）的存储特性，相应的膜厚度分别为38 nm和48 nm。48 nm的低聚酰亚胺薄膜器件表现出NDR电学行为，这是由于Al原子扩散到低聚酰亚胺层中而引起的。在将膜厚度进一步增加到85 nm时，OI（APAP-6FDA）膜器件显示出可重现的非易失性“一次写入多次读取”（WORM）特性，并具有高的开/关电流比（大于×10 4）。另一方面，基于85 nm

  DOI：

  10.1002/asia.201300335