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2,8-difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthra[2,3-b:7,6-b']dithiophene | 1187162-66-8

中文名称
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中文别名
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英文名称
2,8-difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthra[2,3-b:7,6-b']dithiophene
英文别名
2-[7,17-Difluoro-2-(2-triethylsilylethynyl)-6,18-dithiapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1,3(11),4,7,9,12,14,16,19-nonaen-12-yl]ethynyl-triethylsilane
2,8-difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthra[2,3-b:7,6-b']dithiophene化学式
CAS
1187162-66-8
化学式
C34H36F2S2Si2
mdl
——
分子量
602.96
InChiKey
UZGUMZMLCVNJPK-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    658.6±55.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.18±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    11.5
  • 重原子数:
    40
  • 可旋转键数:
    10
  • 环数:
    5.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.35
  • 拓扑面积:
    56.5
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    三乙基矽乙炔正丁基锂 、 tin(II) chloride dihdyrate 、 硫酸正己基锂 作用下, 以 四氢呋喃正己烷 为溶剂, 反应 21.08h, 生成 2,8-difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthra[2,3-b:7,6-b']dithiophene
    参考文献:
    名称:
    异构纯SYN -Anthradithiophenes:合成,性质和FET性能
    摘要:
    描述了异构体纯的顺式蒽噻吩衍生物(syn -ADTs)的合成。X射线晶体学来的固态排列比较顺-ADT衍生物2a中,b到的类似的混合物顺式-和反-ADTs。基于异构纯syn -ADT 2a,b的单晶OFETs的器件性能可与基于迁移率高达1 cm 2 /(V s)的ADT异构体syn / anti - 2a,b的混合物的器件性能相媲美。
    DOI:
    10.1021/ol301503k
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文献信息

  • Structural and Electronic Properties of Crystalline, Isomerically Pure Anthradithiophene Derivatives
    作者:Rawad K. Hallani、Karl J. Thorley、Yaochuan Mei、Sean R. Parkin、Oana D. Jurchescu、John E. Anthony
    DOI:10.1002/adfm.201502440
    日期:2016.4
    materials are typically synthesized as an inseparable mixture of syn and anti isomers. Recent syntheses of pure syn anthradithiophenes have shown no improvement in performance for the more homogeneous system, but similar studies on the pure anti isomer have not been reported. In this work, a simple protocol is described to prepare the pure anti isomer of fluorinated, functionalized anthradithiophenes, and perform
    蒽发色团在许多当前的高性能有机半导体发现,即使这些材料通常合成为一个不可分离的混合物顺式和反异构体。对于更均一的系统,最近合成的纯顺式蒽噻吩没有显示出性能上的改善,但是还没有关于纯抗异构体的类似研究的报道。在这项工作中,一个简单的协议描述,以制备纯的反氟化的,功能化的蒽噻吩的异构体,并对晶体中的分子间相互作用进行详细分析,从而产生增加的密度和更紧密的生色团接触。与同分异构体混合物相比,对这些纯异构体的电荷传输性质的研究表明,异构体纯度的益处并不一致。在顺式情况下,纯异构体和混合物之间的差异极小,而反异构体的迁移率则提高了近两倍。晶体中无序的分析表明了这种性能差异的原因。
  • Chromophore Fluorination Enhances Crystallization and Stability of Soluble Anthradithiophene Semiconductors
    作者:Sankar Subramanian、Sung Kyu Park、Sean R. Parkin、Vitaly Podzorov、Thomas N. Jackson、John E. Anthony
    DOI:10.1021/ja073235k
    日期:2008.3.1
    We report dramatic improvements in the stability and crystallinity arising from partial fluorination of soluble anthradithiophene derivatives. These fluorinated materials still behave as p-type semiconductors but with dramatic increases in thermal and photostability compared to the non-fluorinated derivatives. The triethylsilyl-substituted material forms highly crystalline films even from spincast solutions, leading to devices with maximum hole mobility greater than 1.0 cm(2)N s. In contrast, the triisopropylsilyl derivative forms large, high-quality crystals that could serve as the substrate for transistor fabrication. For this compound, mobility as high as 0.1 cm(2)N S Was measured on the freestanding crystal.
  • Isomerically Pure <i>syn</i>-Anthradithiophenes: Synthesis, Properties, and FET Performance
    作者:Dan Lehnherr、Andreas R. Waterloo、Katelyn P. Goetz、Marcia M. Payne、Frank Hampel、John E. Anthony、Oana D. Jurchescu、Rik R. Tykwinski
    DOI:10.1021/ol301503k
    日期:2012.7.20
    The synthesis of isomerically pure syn-anthradithiophene derivatives (syn-ADTs) is described. X-ray crystallography is used to compare the solid-state arrangement of syn-ADT derivatives 2a,b to the analogous mixture of syn- and anti-ADTs. Single-crystal OFETs based on isomerically pure syn-ADTs 2a,b display device performance comparable to those based on a mixture of ADT isomers syn/anti-2a,b with
    描述了异构体纯的顺式蒽噻吩衍生物(syn -ADTs)的合成。X射线晶体学来的固态排列比较顺-ADT衍生物2a中,b到的类似的混合物顺式-和反-ADTs。基于异构纯syn -ADT 2a,b的单晶OFETs的器件性能可与基于迁移率高达1 cm 2 /(V s)的ADT异构体syn / anti - 2a,b的混合物的器件性能相媲美。
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